[发明专利]金属醇盐化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法

说明书

本发明提供由下述通式(1)表示的金属醇盐化合物:(式中，R¹和R²各自独立地表示碳数1～4的烷基，R³表示碳数2或3的烷基，M表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、钷原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或镥原子，n表示M表示的原子的价数。)

技术领域

本发明涉及具有特定的亚氨基醇作为配体的金属醇盐化合物，含有该化合物的薄膜形成用原料以及使用该薄膜形成用原料的含有金属的薄膜的制造方法。

背景技术

在元素周期表的第3族元素中，将钪(Sc)、钇(Y)和从镧(La)到镥(Lu)的镧系元素统称为稀土元素，这些稀土元素是电子和光电领域中的重要元素。钇是Y-B-C系超导体的主要构成元素。镧是铁电体PLZT的主要构成元素。另外，许多镧系元素被用作添加剂，以赋予作为发光材料等的功能性。

作为含有这样的元素的薄膜的制造方法，可举出溅射法、离子镀法、涂布热解法和溶胶-凝胶法等MOD法，以及化学气相沉积法，但包括原子层沉积(ALD)法在内的化学气相沉积(以下有时简称为“CVD”)法是最佳的制造方法，因为它具有如下许多优点：例如组成控制性和台阶覆盖性优异，适于量产化，可混合集成等。

作为用于化学气相沉积法的金属供给源，大量报道了各种各样的原料，例如，专利文献1中公开了可用作薄膜形成用原料的金属醇盐化合物。另外，专利文献2中公开了在ALD法中用作薄膜形成用原料的醇盐化合物，并且公开了包括本发明化合物在内的通式。但是，专利文献2中没有具体例示本发明的金属醇盐化合物，也没有公开或暗示本发明的金属醇盐化合物所起到的特异性的良好的效果。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO2014/077089

专利文献2：日本特开2015-205837

发明内容

发明要解决的课题

当使化学气相沉积用原料等气化而在基材表面上形成含有金属的薄膜的情况下，要求能够制造出蒸气压高、熔点低、高品质的含金属薄膜的薄膜形成用材料。以往公知的薄膜形成用材料均未显示出这样的物性。其中，为了提高生产率，强烈要求具有低熔点的材料，这是因为必须提高运输性。

因此，本发明的目的在于，提供蒸气压高且熔点比以往公知的化合物低的金属醇盐化合物，含有该金属醇盐化合物的薄膜形成用原料、以及用于使用该原料形成含有金属的薄膜的薄膜的制造方法。

解决课题的手段

本发明人反复研究的结果发现，特定的金属醇盐化合物能够解决上课问题，从而完成了本发明。

即，本发明提供：下述通式(1)表示的金属醇盐化合物，含有该金属醇盐化合物的薄膜形成用原料、以及使用该原料形成含有金属的薄膜的薄膜的制造方法。

[化1]

(式中，R¹和R²各自独立地表示碳数1～4的烷基，R³表示碳数2或3的烷基，M表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、钷原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或镥原子，n表示M表示的原子的价数。)

发明效果

根据本发明，可以得到蒸气压高且熔点比以往公知的化合物低的金属醇盐化合物。本发明的金属醇盐化合物特别适合作为使用CVD法形成金属薄膜用的薄膜形成用原料，其中优选用作使用ALD法形成金属薄膜用的薄膜形成用原料。

附图说明