[发明专利]流体组装基片和制备方法在审
| 申请号: | 201880036588.2 | 申请日: | 2018-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN110741470A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
| 发明(设计)人: | R·A·贝尔曼;R·瓦迪 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L33/02 |
| 代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 乐洪咏;郭辉 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阱结构 垂直的 侧壁 平坦 | ||
1.一种流体组装基片,该流体组装基片包括:
透明基片;以及
设置在透明基片上的无机流体结构层,
其中无机流体结构层由无机材料形成,并且其中无机流体结构层包括多个结构,每个结构暴露透明基片的顶表面的一部分。
2.根据权利要求1所述的流体组装结构,其中,所述透明基片由第一类型的玻璃制成,并且其中所述无机材料是第二类型的玻璃,所述第二类型的玻璃对蚀刻表现出与所述第一类型的玻璃不同的敏感性。
3.根据权利要求1所述的流体组装基片,其中,所述多个结构是阱,并且其中每个阱的侧壁相对于所述透明基片的顶表面基本垂直。
4.根据权利要求3所述的流体组装基片,其中,每个阱的侧壁具有从所述透明基片的顶表面测量的大于91度且小于105度的角度。
5.根据权利要求3所述的流体组装基片,其中,每个阱的侧壁具有从所述透明基片的顶表面测量的大于80度且小于90度的角度。
6.根据权利要求1所述的流体组装基片,其中,所述透明基片的被所述多个结构中的每一个结构暴露的顶表面是基本平坦的。
7.根据权利要求1所述的流体组装基片,其中,电连接层设置在所述透明基片与所述无机流体结构层之间,并且所述电连接层的一部分在所述多个结构中的至少一个结构的底部处暴露。
8.根据权利要求1所述的流体组装基片,其中,所述多个结构是阱,每个阱具有大于3微米的深度和大于40微米的宽度。
9.根据权利要求1所述的流体组装基片,其中,所述透明基片和所述无机材料的组合在高达600℃的温度下是机械稳定的。
10.一种用于制造流体组装基片的方法,该方法包括:
提供透明基片;
在透明基片上沉积无机材料以形成无机材料层;
在所述无机材料层的顶部形成具有开口以暴露出所述无机材料层的与结构位置相对应的部分的图案化硬掩模;以及
进行由所述图案化硬掩模引导的干法蚀刻,以在无机材料层中打开延伸至透明基片顶表面的结构。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述透明基片由第一类型的玻璃制成,并且其中所述无机材料是第二类型的玻璃,所述第二类型的玻璃表现出与所述第一类型的玻璃不同的蚀刻敏感性。
12.根据权利要求11所述的方法,其中在透明基片上沉积无机材料的步骤包括在所述透明基片上进行原硅酸四乙酯的等离子体增强化学气相沉积。
13.根据权利要求10所述的方法,其中,在所述无机材料层的顶部形成具有开口以暴露出所述无机材料层的与结构位置相对应的部分的图案化硬掩模的步骤包括:
在所述无机材料层的顶部沉积镍;
进行光刻以限定开口;以及
进行湿法蚀刻,以暴露出所述无机材料层顶表面的与所述开口相对应的部分。
14.根据权利要求10所述的方法,其中,所述干法刻蚀选自:反应性离子刻蚀(RIE),以及感应耦合等离子体和反应性离子刻蚀(ICP-RIE)。
15.根据权利要求10所述的方法,其中,所述无机材料层中的结构是阱,并且其中每个阱的侧壁相对于所述透明基片的顶表面基本上垂直。
16.根据权利要求10所述的方法,其中,由所述无机材料层中的每个结构暴露的所述透明基片的顶表面是基本上平坦的。
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