[发明专利]比较电路、半导体装置、电子构件以及电子设备

权利要求书

1.一种比较电路，包括：

第一输入端子；

第二输入端子；

第一输出端子；以及

包括第一n沟道晶体管及第二n沟道晶体管的差分对的差分输入电路，该第一n沟道晶体管及该第二n沟道晶体管都包括栅极及背栅极，

其中，所述比较电路对负电压与负参考电压进行比较，并根据比较结果从所述第一输出端子输出第一输出电压，

所述第一输入端子被输入所述负电压，

所述第二输入端子被输入正参考电压，

以进行比较的方式设定所述正参考电压，

所述第一n沟道晶体管的所述栅极和所述背栅极中的一个被输入第一偏置电压，

所述第一n沟道晶体管的所述栅极和所述背栅极中的另一个与所述第一输入端子电连接，

所述第二n沟道晶体管的所述栅极和所述背栅极中的一个与所述第二输入端子电连接，

并且，所述第二n沟道晶体管的所述栅极和所述背栅极中的另一个被输入第二偏置电压。

2.根据权利要求1所述的比较电路，

其中所述第一n沟道晶体管的所述背栅极被输入所述第一偏置电压，

并且所述第一n沟道晶体管的所述栅极被输入所述第一负电压。

3.根据权利要求1或2所述的比较电路，

其中所述第二n沟道晶体管的所述背栅极被输入所述正参考电压，

并且所述第二n沟道晶体管的所述栅极被输入所述第二偏置电压。

4.根据权利要求1所述的比较电路，

其中所述第一偏置电压是所述比较电路的高电平一侧电源电压。

5.根据权利要求1所述的比较电路，

其中所述第二偏置电压是所述比较电路的低电平一侧电源电压。

6.根据权利要求1所述的比较电路，

其中所述第一n沟道晶体管的沟道形成区域及所述第二n沟道晶体管的沟道形成区域包含金属氧化物。

7.根据权利要求1所述的比较电路，

其中所述比较电路是动态比较电路，

并且所述差分输入电路包括电连接于所述差分对的锁存电路。

8.一种半导体装置，包括：

电荷泵电路；

驱动电路；以及

权利要求1所述的比较电路，

其中，所述电荷泵电路的输出端子与所述比较电路的所述第一输入端子电连接，

所述驱动电路从所述比较电路被输入所述第一输出电压，

并且，所述驱动电路根据所述第一输出电压生成用来驱动所述电荷泵电路的时钟信号。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，

其中，所述电荷泵电路的电荷传送路径中设置有串联电连接的多个n沟道晶体管，

所述多个n沟道晶体管包括电连接于栅极的背栅极，

并且，所述多个n沟道晶体管的沟道形成区域包含金属氧化物。

10.一种半导体装置，包括：

第一至第N电压输出端子，N为2以上的整数；

负电压产生电路；

控制电路；

第一至第N电荷泵电路；

第一至第N监视电路；以及

第一至第N驱动电路，

其中，所述控制电路生成用来驱动所述负电压产生电路的第一时钟信号，

所述负电压产生电路的输出端子与所述第一至第N电荷泵电路的输入端子电连接，

第j电荷泵电路的输出端子与第j电压输出端子电连接，j为1至N的整数，

第j监视电路包括比较电路[j]，

所述比较电路[j]是权利要求1所述的比较电路，

所述比较电路[j]的所述第一输入端子与所述第j电压输出端子电连接，

所述比较电路[j]的所述第一输出端子与第j驱动电路的输入端子电连接，

并且，所述第j驱动电路根据所述第一时钟信号及从所述比较电路[j]输出的第一输出电压生成用来驱动所述第j电荷泵电路的第二时钟信号。