[发明专利]用于检测存储器的刷新不足的设备及方法

权利要求书

1.一种半导体设备，其包括：

多个存储器单元；及

控制电路，其经配置以监测刷新请求命令并响应于检测到所述刷新请求命令的时序未能满足刷新时序限制而执行防止未授权存取存储在所述多个存储器单元处的数据的动作。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述控制电路包括多个级电路，其经配置以跟踪所述刷新请求命令的所述时序并提供所述刷新请求命令的所述时序未能满足所述刷新时序限制的指示。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其中所述多个级电路的第一子集经初始化以提供第一输出值，并且所述多个级电路的其余子集经初始化以提供第二输出值。

4.根据权利要求2所述的半导体设备，其中所述多个级电路是串联耦合的。

5.根据权利要求2所述的半导体设备，其中所述多个级电路中的第一级电路经配置以接收指示定时器到期的请求信号，并提供所述刷新请求命令的所述时序未能满足所述刷新时序限制的所述指示，其中所述定时器与刷新请求命令的预期接收之间的经定义间隔相关联。

6.根据权利要求5所述的半导体设备，其中所述多个级电路中的最后级电路经配置以接收指示对刷新请求命令的确认的确认信号。

7.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述控制电路经配置以窃取刷新命令以执行行锤刷新，其中所述控制电路经配置以响应于检测到所述刷新请求命令的时序未能满足所述刷新时序限制而增加窃取刷新命令以执行行锤刷新的速率。

8.根据权利要求7所述的半导体设备，其中所述控制电路经配置以从地址总线随机地拦截存取线地址，并选择邻近存取线地址以窃取刷新命令。

9.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，为执行防止未授权存取存储在所述多个存储器单元处的所述数据的所述动作，所述控制电路经配置以导致基于某些环境条件来调整刷新速率的温度控制刷新模式停用，导致刷新被跳过，导致数据被覆写，锁定对所述多个存储器单元的存取，或其组合。

10.一种用于检测存储器刷新的方法，其包括：

在半导体装置处监测从控制器接收的刷新请求命令；以及

响应于检测到所述刷新请求命令的时序未能满足刷新时序限制，执行防止未授权存取存储在所述半导体装置处的数据的动作。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括响应于缺少对针对刷新窃取时间限制的刷新请求命令的接收，检测到所述刷新请求命令的所述时序已经超过预定时间限制。

12.根据权利要求10所述的方法，其中在存储器处监测从所述控制器接收的所述刷新请求命令包括：

响应于接收到指示已经超过预期刷新请求命令之间的时间间隔的请求信号，将多个级电路的当前级电路递减到前一级电路；以及

响应于接收到指示刷新请求命令的接收的确认信号，将多个级电路的所述当前级电路递增到后一级电路。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括当所述当前级电路是所述多个级电路中的第一级电路时，提供所述刷新请求命令的所述时序未能满足所述刷新时序限制的指示。

14.根据权利要求10所述的方法，其中执行防止未授权存取存储在所述半导体装置处的数据的所述动作包括增加行锤刷新窃取速率。

15.根据权利要求10所述的方法，其中执行防止未授权存取存储在所述半导体装置处的数据的所述动作包括：导致基于某些环境条件来调整刷新速率的温度控制刷新模式停用，跳过刷新，覆写存储在所述半导体装置处的数据，锁定对所述半导体装置的存取，或其组合。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述半导体装置是双倍数据速率动态随机存取存储器DDR DRAM。