[发明专利]光电子传感器模块和制造光电子传感器模块的方法

权利要求书

1.一种光电子传感器模块(1)，具有：

-第一半导体发送器芯片(21)，用于发射第一波长的辐射，

-第二半导体发送器芯片(22)，用于发射与所述第一波长不同的第二波长的辐射，

-半导体检测器芯片(3)，用于检测所述第一波长和所述第二波长的辐射，以及

-对于所述第一波长和所述第二波长的辐射不可透过的灌封体(4)，所述灌封体直接覆盖所述芯片(21，22，23，3)的侧面，并且所述灌封体将处于共同的平面中的芯片(21，22，23，3)彼此机械连接，其中

-在所述芯片(21，22，23，3)之间的间距小于或等于所述芯片(21，22，23，3)的平均对角线长度的两倍，以及

-所述传感器模块(1)设计用于，贴靠在待检查的身体部位(7)上。

2.根据上一项权利要求所述的光电子传感器模块(1)，

此外包括多个光学装置(5)，

其中所述光学装置(5)中的每个光学装置一对一地与所述芯片(21，22，23，3)中的一个芯片相关联，和

其中所述光学装置(5)中的至少一个光学装置通过多重透镜场形成。

3.根据上一项权利要求所述的光电子传感器模块(1)，

其中所述光学装置(5)的侧面各自直接由对于辐射不可透过的另一灌封体(6)覆盖，

其中所述光学装置(5)中的至少一个光学装置具有光学轴线，所述光学轴线相对于所属的芯片(21，22，23，3)倾斜地取向，以及

其中在所述芯片(21，22，23，3)和各自关联的光学装置(5)的光出射面(60)之间的间距为所述芯片(21，22，23，3)的平均对角线长度的最高50％。

4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子传感器模块(1)，

还包括用于发射第二波长的辐射的第三半导体发送器芯片(23)，其不同于所述第一波长和所述第二波长，

其中所述半导体检测器芯片(3)也设计为检测所述第三波长的辐射，并且所述灌封体(4)对于所述第三波长的辐射是不可透过的，以及

其中在所述芯片(21，22，23，3)之间的间距小于或等于所述芯片(21，22，23，3)的平均对角线长度的一半。

5.根据上一项权利要求所述的光电子传感器模块(1)，

其中所述第一波长在940nm处和所述第二波长在660nm处和所述第三波长在535nm处，所述第一波长、所述第二波长、所述第三波长各自具有最高为10nm的公差，

其中所述传感器模块(1)设计用于脉动血氧饱和度测定法。

6.一种用于制造至少根据权利要求2所述的光电子传感器模块(1)的方法，具有如下步骤：

-提供芯片(21，22，23，3)，

-围绕所述芯片(21，22，23，3)浇注，使得形成灌封体(4)，和

-将所述光学装置(5)施加到带有所述芯片(21，22，23，3)的灌封体(4)上。

7.根据上一项权利要求所述的方法，

其中在产生另一灌封体(6)之前，将所述光学装置(5)粘贴到所述灌封体(4)上，

其中在产生所述另一灌封体(6)时，所述光学装置(5)的侧面各自直接地和完全地由所述另一灌封体(6)的材料覆盖。

8.根据上一项权利要求所述的方法，

其中将所述另一灌封体(6)在其产生时直接模制到所述灌封体(4)的主侧上。

9.根据权利要求6所述的方法，

其中在将所述光学装置(5)施加到所述灌封体(4)上之前，产生所述另一灌封体(6)，使得所述光学装置(5)的侧面各自直接地和完全地由所述另一灌封体(6)的材料覆盖，

其中将制成的所述另一灌封体(6)连同固定地集成的所述光学装置(5)整面地粘贴到带有所述芯片(21，22，23，3)的所述灌封体(4)上。