[发明专利]半导体模块以及电力变换装置

说明书

提供能够更加提高由电流所导致的寄生电感的抵消效果的半导体模块及包括该半导体模块的电力变换装置。半导体模块具备第1引线框架(14)、第2引线框架(13)、第3引线框架(16)、绝缘材料(31)、第1半导体元件(C1)及第2半导体元件(C2)。第1引线框架(14)为被施加第1电位的平板状的布线路径。第2引线框架(13)为包括输出端子的平板状的布线路径。第3引线框架(16)为被施加第2电位的平板状的布线路径。绝缘材料(31)以使第1及第2引线框架(14、13)一体化的方式进行密封。第1半导体元件(C1)经由接合材料(G1)而与第1引线框架(14)直接接合，第2半导体元件(C2)经由接合材料(G2)而与第2引线框架(13)直接接合。第1引线框架(14)与第2引线框架(13)隔着绝缘材料(31)对置。

技术领域

本发明涉及半导体模块以及电力变换装置。

背景技术

近年来，在电力变换装置所使用的半导体模块中，要求低损耗化。为了实现低损耗化，使用提升半导体模块所包含的半导体元件的开关速度这样的方法。但是，当电路所具有的寄生电感大时，开关时的浪涌电压以及噪声增加，妨碍提升开关速度。

这样对于半导体模块而言，降低寄生电感是重要的课题，进行各种技术开发。例如在日本特开2013-118336号公报(专利文献1)以及日本特开2008-306867号公报(专利文献2)中，公开了如下结构：形成环路形状的电流路径，使在构成环路形状的路径中的相互对置的部分产生的磁通的朝向相互成为相反，使其抵消。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-118336号公报

专利文献2：日本特开2008-306867号公报

发明内容

如日本特开2013-118336号公报那样使作为被施加正的直流电位的电流路径的导体和作为被施加负的直流电位的电流路径的导体对置以使得电流相互成为反向地流过来抵消磁通对于寄生电感降低是有效的。但是在日本特开2013-118336号公报中，用于得到输出的导体也与得到正以及负的直流电位的各导体对置，但并不在包括输出端子的导体中流过与正以及负的直流用的导体反向的电流，没有由反向的电流所导致的寄生电感的降低效果。另外，在日本特开2013-118336号公报中，电流路径由被认为寄生电感大的导线形成，有可能会无法充分地得到寄生电感的降低效果。

另一方面，在日本特开2008-306867号公报中，由导体平板部形成电流路径，但端子插入于电流路径与半导体元件之间，电流路径利用螺钉等固定件而与该端子连接。因此，有可能会无法消除该端子等插入部分处的寄生电感。

本发明是鉴于以上的课题而完成的，其目的在于提供能够更加提高由电流所导致的寄生电感的抵消效果的半导体模块以及包括该半导体模块的电力变换装置。

本发明的半导体模块具备第1引线框架、第2引线框架、第3引线框架、绝缘材料、第1半导体元件以及第2半导体元件。第1引线框架为被施加第1电位的平板状的布线路径。第2引线框架为包括输出端子的平板状的布线路径。第3引线框架为被施加第2电位的平板状的布线路径。绝缘材料以使第1以及第2引线框架一体化的方式进行密封。第1半导体元件经由接合材料而与第1引线框架直接接合，第2半导体元件经由接合材料而与第2引线框架直接接合。第1引线框架与第2引线框架隔着绝缘材料而对置。

根据本发明，布线路径形成为平板状的引线框架，且引线框架与半导体元件经由接合材料直接接合。因此，能够更加提高由电流所导致的寄生电感的抵消效果。

附图说明

图1是示出实施方式1的各例中的半导体模块的电路结构的电路图。

图2是将图1的电路图所示的半导体模块的实际的各构件的配置结构的一部分的第1例简化而示出的概略立体图。