[发明专利]具有带有IR反射层以及含有多个层的高折射率氮化电介质膜的低E涂层的涂覆制品有效
申请号: | 201880028021.0 | 申请日: | 2018-03-08 |
公开(公告)号: | CN110573469B | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 丁国文;丹尼尔·施魏格特;明·勒;布伦特·博伊斯 | 申请(专利权)人: | 佳殿玻璃有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李新红 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 带有 ir 反射层 以及 含有 多个层 折射率 氮化 电介质 涂层 制品 | ||
1.一种涂覆制品,其包括由玻璃基底支撑的涂层,所述涂层包括:
所述玻璃基底上的第一电介质膜;
所述玻璃基底上的红外(IR)反射层,所述红外(IR)反射层位于至少所述第一电介质膜上方;
所述玻璃基底上的第二电介质膜,所述第二电介质膜位于至少所述IR反射层上方;并且
其中所述第一电介质膜和所述第二电介质膜中的至少一者包含:(a)包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率电介质层,其中所述第一高折射率电介质层包含比Si多的Zr,以及(b)包含钛的氧化物的第二高折射率电介质层,所述第二高折射率电介质层直接接触所述第一高折射率电介质层。
2.根据权利要求1所述的涂覆制品,其中所述第一高折射率电介质层和所述第二高折射率电介质层各自在550nm具有至少2.21的折射率(n)。
3.根据权利要求2所述的涂覆制品,其中所述第一高折射率电介质层和所述第二高折射率电介质层各自在550nm具有至少2.25的折射率(n)。
4.根据任一前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率电介质层还包含Al。
5.根据任一前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率电介质层具有包含30%-80%Zr和3%-25%Si(原子%)的金属含量。
6.根据任一前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率电介质层具有包含35%-75%Zr和3%-15%Si(原子%)的金属含量。
7.根据任一前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率电介质层具有包含30%-80%Zr、3%-25%Si和15%-50%Al(原子%)的金属含量。
8.根据任一前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率电介质层具有包含30%-80%Zr、3%-25%Si和20%-40%Al(原子%)的金属含量。
9.根据任一前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率电介质层还包含Al并且包含比Si和Al各自都多的Zr(原子%)。
10.根据任一前述权利要求所述的涂覆制品,其中在所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率电介质层中,Zr在任意金属之中具有最高金属含量(原子%)。
11.根据权利要求10所述的涂覆制品,其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率电介质层还包含Al,并且其中在所述第一高折射率电介质层中,Al在任意金属之中具有第二最高金属含量(原子%)。
12.根据任一前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率电介质层包含至少两倍于Si的Zr。
13.根据任一前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率电介质层包含至少四倍于Si的Zr。
14.根据任一前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含Zr和Si的氮化物的第一高折射率电介质层还包含Al,并且包含至少1.4倍于Al的Zr(原子%)。
15.根据任一前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述涂层为低E涂层并且具有不大于0.2的法向发射率(En)。
16.根据权利要求15所述的涂覆制品,其中所述涂层为低E涂层并且具有不大于0.10的法向发射率(En)。
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