[发明专利]树脂片、半导体装置及树脂片的使用方法

权利要求书

1.一种树脂片，其用于绝缘膜的形成，其特征在于，

所述树脂片具备第一支撑片及层叠在所述第一支撑片的一个面上的固化性树脂组合物层，

所述树脂组合物层由含有热固性树脂及无机微粒的树脂组合物形成，

所述无机微粒在所述树脂组合物中的含量为50质量％以上、90质量％以下，

所述第一支撑片具备支撑基材及层叠在所述支撑基材的一面侧的粘着剂层，

所述树脂组合物层层叠在所述第一支撑片的所述粘着剂层侧的面上。

2.根据权利要求1所述的树脂片，其特征在于，

所述树脂组合物层含有热塑性树脂，

所述热塑性树脂在所述树脂组合物中的含量为1.0质量％以上、30质量％以下。

3.根据权利要求1或2所述的树脂片，其特征在于，所述粘着剂层由丙烯酸类粘着剂构成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的树脂片，其特征在于，所述粘着剂层由选自活性能量射线固化性粘着剂、热发泡性粘着剂及热固性粘着剂中的至少一种粘着剂构成。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的树脂片，其特征在于，在将所述树脂片以100℃加热30分钟、进一步以180℃加热了60分钟的树脂片中，将所述第一支撑片从所述树脂组合物层固化而成的固化层上剥离时的剥离力(F12)为0.5N/25mm以上、3.0N/25mm以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的树脂片，其特征在于，所述第一支撑片中的所述粘着剂层在100℃下、将测定频率设为1Hz时的储能模量为1×10⁵pa以上。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的树脂片，其特征在于，

将所述第一支撑片的所述粘着剂层面贴附于铜箔，以100℃及30分钟的条件进行加热，接着以180℃及30分钟的条件进行加热，进一步以190℃及1小时的条件进行加热之后，所述第一支撑片在室温下的对所述铜箔的粘着力为0.7N/25mm以上、2.0N/25mm以下，

将所述第一支撑片的所述粘着剂层面贴附于聚酰亚胺膜，以100℃及30分钟的条件进行加热，接着以180℃及30分钟的条件进行加热，进一步以190℃及1小时的条件进行加热之后，第一支撑片在室温下的对所述聚酰亚胺膜的粘着力为0.7N/25mm以上、2.0N/25mm以下。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的树脂片，其特征在于，所述第一支撑片中的所述粘着剂层的5％失重温度为250℃以上。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的树脂片，其特征在于，所述热塑性树脂为选自苯氧基类树脂、聚乙烯醇缩醛类树脂及聚乙烯醇缩丁醛树脂中的至少一种。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的树脂片，其特征在于，所述无机微粒利用表面处理剂进行了表面处理。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的树脂片，其特征在于，所述无机微粒的平均粒径为0.01μm以上、3.0μm以下。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的树脂片，其特征在于，所述树脂组合物层的厚度为5μm以上、80μm以下。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的树脂片，其特征在于，所述支撑基材是玻璃化转变温度(Tg)为50℃以上的树脂制的支撑基材。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的树脂片，其特征在于，所述树脂片具备层叠在所述树脂组合物层的与所述第一支撑片为相反侧的面上的第二支撑片。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的树脂片，其特征在于，其用于半导体装置中的所述绝缘膜的形成。