[发明专利]转速传感器和用于运行转速传感器的方法

说明书

描述一种转速传感器，该转速传感器具有驱动器和探测器，该驱动器用于激励可振动质量块进行振动并且具有至少一个驱动器‑放大器电路，该探测器用于探测可振动质量块的偏转并且具有至少一个探测器‑放大器电路，其中，能够可选地调整低的静态电流或较高的静态电流，该低的静态电流用于在节能模式中运行驱动器‑放大器电路和/或探测器‑放大器电路，该较高的静态电流用于在正常模式中运行驱动器‑放大器电路和/或探测器‑放大器电路。

技术领域

本发明从根据权利要求1的前序部分的转速传感器以及根据权利要求8的前序部分的用于运行转速传感器的方法出发。

背景技术

这种转速传感器通常包括用于激励可振动质量块进行振动的驱动器，该驱动器具有至少一个驱动器-放大器电路。通过探测器可以探测可振动质量块的偏转。该探测器通常具有至少一个探测器-放大器电路。此外，在转速传感器中通常设有参考电流发生器，该参考电流发生器用于为驱动器-放大器电路和/或探测器-放大器电路产生参考电流。所述转速传感器例如可以构型成微机电系统(MEMS)。

通常将这种转速传感器用于电池供电的移动终端设备中，因此只能提供有限的能量储备来运行这种转速传感器。为了减少这种转速传感器的能量消耗，已知周期性地接通和关断转速传感器。在转速传感器的接通状态中可以执行测量。随后，将转速传感器置于其关断状态中。以这种方式可以产生低的能耗，这种低的能耗能够允许在移动终端设备中运行这种转速传感器。

然而，已证明不利的是，在接通转速传感器时(即在从关断状态切换到接通状态中时)，首先必须经过一定的起动时间才能够进行足够准确的测量。该起动时间例如是由如下情况造成的：无法任意快地将可振动质量块置于期望振动中。

发明内容

在此背景下，本发明的任务是能够实现转速传感器在移动终端设备中的具有减少的起动时间的运行。

相比于现有技术，根据并列权利要求的根据本发明的转速传感器以及根据本发明的用于运行转速传感器的方法具有如下优点：能够可选地调整低的静态电流或较高的静态电流，所述低的静态电流用于在节能模式中运行驱动器-放大器电路和/或探测器-放大器电路，所述较高的静态电流用于在正常模式中运行驱动器-放大器电路和/或探测器-放大器电路。在节能模式中，驱动器-放大器电路和/或探测器-放大器电路由于较低的静态电流而具有较低的带宽和较高的噪声。由于放大器电路的各个分支中的电流(通过较低的静态电流)以相同的方式减小，所以相应放大器电路的极点和零点在节能模式中仅略微改变。因此，从节能模式到正常模式的转换对放大器电路的稳定性仅有很小影响。就此而言，驱动器-放大器电路和/或探测器-放大器电路在节能模式中以较低性能工作。在转速传感器的功耗与性能之间存在权衡(Abtausch)。当切换到正常模式中时，可以相对快速地将放大器电路置于其正常运行状态中。因此，不需要等待转速传感器的长的起动时间。

本发明的实施例在附图中示出并且在以下描述中更详细地阐述。

根据本发明的一种有利构型设置，转速传感器包括参考电流发生器，该参考电流发生器用于为驱动器-放大器电路和/或探测器-放大器电路产生参考电流，该参考电流发生器具有第一场效应晶体管，其中，第一场效应晶体管具有第一沟道宽度，第一沟道宽度能够被改变以调整静态电流。第一沟道宽度(英语：channel width)应理解为第一场效应晶体管的导流沟道在垂直于电流方向上的延伸。第一场效应晶体管的沟道宽度与由第一场效应晶体管引导的参考电流成比例。通过调整第一沟道宽度，可以调整由第一场效应晶体管引导的参考电流。在驱动器-放大器电路和/或探测器-放大器电路中，可以由参考电流推导出相应放大器电路的静态电流。因此，可以通过由参考电流发生器所提供的参考电流来调整静态电流。第一场效应晶体管优选构造成MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)或者构造成FinFET(鳍式场效应晶体管)。替代地，第一场效应晶体管可以构造成JFET(结型场效应晶体管)。第一场效应晶体管可以是n沟道场效应晶体管或p沟道场效应晶体管。