[发明专利]转速传感器和用于运行转速传感器的方法在审

专利信息
申请号: 201880023292.7 申请日: 2018-03-01
公开(公告)号: CN110546458A 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: G·张;F·迪亚齐;R·哈利柳林;A·维斯孔蒂 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: G01C19/5776 分类号: G01C19/5776
代理公司: 72002 永新专利商标代理有限公司 代理人: 郭毅<国际申请>=PCT/EP2018/
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 放大器电路 探测器 静态电流 驱动器 运行驱动器 转速传感器 可振动 质量块 偏转 节能模式 正常模式 可选 探测
【权利要求书】:

1.一种转速传感器(1),所述转速传感器具有驱动器和探测器,所述驱动器用于激励可振动质量进行振动并且具有至少一个驱动器-放大器电路(3),所述探测器用于探测所述可振动质量块的偏转并且具有至少一个探测器-放大器电路(4),其特征在于,能够可选地调整低的静态电流(101,102,103)或较高的静态电流(101,102,103),所述低的静态电流用于在节能模式中运行所述驱动器-放大器电路(3)和/或所述探测器-放大器电路(4),所述较高的静态电流用于在正常模式中运行所述驱动器-放大器电路(3)和/或所述探测器-放大器电路(4)。

2.根据权利要求1所述的转速传感器,其特征在于,所述转速传感器(1)包括参考电流发生器(2),所述参考电流发生器用于为所述驱动器-放大器电路(3)和/或所述探测器-放大器电路(4)产生参考电流(100),所述参考电流发生器具有第一场效应晶体管(22,23)——尤其MOSFET,其中,所述第一场效应晶体管(22,23)具有第一沟道宽度,所述第一沟道宽度能够被改变以调整所述静态电流(101,102,103)。

3.根据权利要求2所述的转速传感器,其特征在于,所述第一场效应晶体管(22,23)具有多个第一栅指,其中,为了调整所述静态电流(101,102,103),至少一个第一栅指(22)能够被可选地接通或关断。

4.根据以上权利要求中任一项所述的转速传感器,其特征在于,所述参考电流发生器(2)具有多个并联连接的第一晶体管,其中,为了调整所述静态电流(101,102,103),所述第一晶体管中的至少一个能够被可选地接通或关断。

5.根据以上权利要求中任一项所述的转速传感器,其特征在于,所述驱动器-放大器电路(3)和/或所述探测器-放大器电路(4)具有第二场效应晶体管(31,32)——尤其MOSFET,其中,所述第二场效应晶体管(31,32)具有第二沟道宽度,所述第二沟道宽度能够被改变以调整所述静态电流(101,102,103)。

6.根据权利要求5所述的转速传感器,其特征在于,所述第二场效应晶体管(31,32)具有多个第二栅指,其中,为了调整所述静态电流(101,102,103),至少一个第二栅指(32)能够被可选地接通或关断。

7.根据以上权利要求中任一项所述的转速传感器,其特征在于,所述驱动器-放大器电路(3)和/或所述探测器-放大器电路(4)具有多个并联连接的第二晶体管,其中,为了调整所述静态电流(101,102,103),所述第二晶体管中的至少一个能够被可选地接通或关断。

8.一种移动终端设备,所述移动终端设备具有根据以上权利要求中任一项所述的转速传感器,并且所述移动终端设备具有将电能提供给所述转速传感器的能量存储器。

9.一种用于运行转速传感器(1)的方法,所述转速传感器具有驱动器和探测器,所述驱动器用于激励可振动质量块进行振动并且具有至少一个驱动器-放大器电路(3),所述探测器用于探测所述可振动质量块的偏转并且具有至少一个探测器-放大器电路(4),其特征在于,可选地调整低的静态电流(101,102,103)或较高的静态电流(101,102,103),所述低的静态电流用于在节能模式中运行所述驱动器-放大器电路(2)和/或所述探测器-放大器电路(4),所述较高的静态电流用于在正常模式中运行所述驱动器-放大器电路(2)和/或所述探测器-放大器电路(4)。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,通过控制命令来控制所述节能模式与所述正常模式之间的切换。

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