[发明专利]晶体制造用压力容器

权利要求书

1.一种晶体制造用压力容器，所述压力容器被构造成在容器内使用作为溶剂的超临界状态和/或亚临界状态的氨、原料、矿化剂和晶种而制造晶体，其中，所述压力容器包含：

具有开口的压力容器主体；和

被构造成封闭所述压力容器主体的开口的盖子；并且

其中，至少在所述压力容器的露出的内表面的整个表面上存在Ag，

其中，所述Ag通过Ag制衬里、Ag焊接和Ag镀敷中的一种或两种以上的组合而配置，并且

其中，所述存在Ag的整个表面包括所述压力容器主体的内表面和所述盖子的内表面。

2.根据权利要求1所述的晶体制造用压力容器，其中，

所述Ag覆盖所述压力容器的整个内表面。

3.根据权利要求1所述的晶体制造用压力容器，其中，

所述晶体是氮化物晶体。

4.根据权利要求1所述的晶体制造用压力容器，其中，

所述矿化剂是氟基矿化剂并且不含氟以外的卤素原子。

5.根据权利要求1所述的晶体制造用压力容器，其中，

所述压力容器主体具有圆筒形状，并且在所述压力容器主体的内表面上配置有具有有底的圆筒形状并且具有开口部的Ag制衬里。

6.根据权利要求1所述的晶体制造用压力容器，其还包含：

配置在所述压力容器主体和所述盖子之间的间隙中的垫片。

7.根据权利要求1所述的晶体制造用压力容器，其中，

所述压力容器主体由压力容器第一主体构件和压力容器第二主体构件形成，

所述压力容器第二主体构件位于所述压力容器第一主体构件的内表面侧的一部分或全部上，并且

所述压力容器第二主体构件由耐腐蚀性比所述压力容器第一主体构件更优异的材料构成。

8.根据权利要求1所述的晶体制造用压力容器，其中，

所述盖子由第一盖构件和第二盖构件形成，

所述第二盖构件位于所述第一盖构件的内表面侧的一部分或全部上，并且

所述第二盖构件由耐腐蚀性比所述第一盖构件更优异的材料构成。

9.根据权利要求1所述的晶体制造用压力容器，其中，

所述压力容器主体和所述盖子由Ni基合金、铁合金、钴基合金、或将它们组合而成的合金构成。

10.根据权利要求1所述的晶体制造用压力容器，其中，

所述Ag通过Ag制衬里、Ag焊接和Ag镀敷中的一种或两种以上的组合而配置，并且所述Ag制衬里被一直安装至所述具有开口的压力容器主体的口部并且厚度为0.5mm至20mm。

11.根据权利要求7所述的晶体制造用压力容器，其中，

所述Ag通过Ag制衬里、Ag焊接和Ag镀敷中的一种或两种以上的组合而配置，

所述压力容器第二主体构件位于所述Ag焊接和所述Ag镀敷的外周侧，并且

所述压力容器第一主体构件位于所述压力容器第二主体构件的外周侧。

12.根据权利要求8所述的晶体制造用压力容器，其中，

所述Ag通过Ag制衬里、Ag焊接和Ag镀敷中的一种或两种以上的组合而配置，

第二盖构件位于所述Ag焊接和所述Ag镀敷的外周侧，并且

所述第一盖构件位于所述第二盖构件的外周侧。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的晶体制造用压力容器，其中，

所述Ag通过Ag制衬里、Ag焊接和Ag镀敷中的一种或两种以上的组合而配置，并且

所述Ag焊接将所述Ag制衬里的开口部的上部与所述压力容器主体接合，以密封所述Ag制衬里和所述压力容器主体之间的间隙。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的晶体制造用压力容器，其中，

所述Ag通过Ag制衬里、Ag焊接和Ag镀敷中的一种或两种以上的组合而配置，并且

所述Ag镀敷在

所述压力容器主体的除了所述Ag制衬里和Ag焊接部以外的部分的内表面、

所述盖子的内表面、和

垫片的内周表面

上进行，并且

所述Ag镀敷层的厚度为10μm至1000μm。