[发明专利]通过原子层沉积法制造含氧化钇薄膜的制造方法

说明书

本申请是一种通过原子层沉积法制造含氧化钇薄膜的制造方法，其包括：将包含三(仲丁基环戊二烯基)钇的原料气体导入至处理气氛中，使三(仲丁基环戊二烯基)钇沉积于基体上的工序；以及，将包含水蒸气的反应性气体导入至处理气氛中，通过使其与沉积于所述基体上的三(仲丁基环戊二烯基)钇反应而对钇进行氧化的工序。

技术领域

本发明涉及一种通过原子层沉积法制造含氧化钇薄膜的制造方法。

背景技术

已知：氧化钇薄膜具有高的耐热性、耐等离子体性(plasma resistance)以及光透射性，可以使用于耐热用保护膜、耐等离子体用保护膜、光学薄膜等。

作为上述薄膜的制造法，可列举出：溅射法、离子镀法、涂布热分解法、溶胶凝胶法等MOD法；CVD法；原子层沉积法(以下，有时也记为ALD法)，从得到的薄膜的品质良好的观点出发，主要使用CVD法、ALD法。

在专利文献1中，公开了一种将三(仲丁基环戊二烯基)钇作为原料，通过使用了氮气和氧气的CVD法的氧化钇薄膜的制造方法。

此外，在专利文献2中，记载了三(仲丁基环戊二烯基)钇可以在CVD法、ALD法中使用。此外，在该文献中，在CVD法中使用三(仲丁基环戊二烯基)钇的情况下，作为根据需要使用的反应性气体，可列举出：氧；臭氧；二氧化氮；一氧化氮；水蒸气；过氧化氢；氢；单烷基胺、二烷基胺、三烷基胺、亚烷基二胺等有机胺化合物；肼；氨等。如在该文献中所公开的方法那样，在使用三(仲丁基环戊二烯基)钇通过CVD法制造含氧化钇薄膜的情况下，需要250℃～800℃的反应温度。特别是，在通过CVD法制造如实施例所记载的那样优质的含氧化钇薄膜的情况下，需要450℃左右的反应温度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008－274374号公报

专利文献2：日本特开2005－068074号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在以往已知的方法中，在通过CVD法制造含氧化钇薄膜的情况下，为了使成为钇原子供给源的原料气化，需要大量的能量。此外，成为钇原子供给源的原料与反应性气体的反应性低，需要450℃左右的反应温度，因此难以在低反应温度下制造优质的含氧化钇薄膜。

用于解决问题的方案

本发明人等反复进行了研究，结果发现了以下事实，从而完成了本发明，即，通过具有特定的工序的原子层沉积法制造含氧化钇薄膜的制造方法能够解决上述问题。

本发明提供一种通过原子层沉积法制造含氧化钇薄膜的制造方法，其包括：(A)将包含三(仲丁基环戊二烯基)钇的原料气体导入至处理气氛中，使三(仲丁基环戊二烯基)钇沉积于基体上的工序(以下，有时简称为(A)工序)；以及，(B)将包含水蒸气的反应性气体导入至处理气氛中，通过使其与沉积于所述基体上的三(仲丁基环戊二烯基)钇反应而对钇进行氧化的工序(以下，有时简称为(B)工序)。

发明效果

根据本发明，能够在低反应温度下高生产率地制造残留碳少、品质优良的平滑的含氧化钇薄膜。

附图说明

图1是表示本发明的含氧化钇薄膜的制造方法的一个例子的流程图。

图2是表示用于本发明的含氧化钇薄膜的制造方法的ALD法用装置的一个例子的概要图。

图3是表示用于本发明的含氧化钇薄膜的制造方法的ALD法用装置的另一个例子的概要图。

图4是表示用于本发明的含氧化钇薄膜的制造方法的ALD法用装置的另一个例子的概要图。