[发明专利]通过原子层沉积法制造含氧化钇薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种通过原子层沉积法制造含氧化钇薄膜的制造方法，其包括：

(A)工序：将包含三(仲丁基环戊二烯基)钇的原料气体导入至处理气氛中，使三(仲丁基环戊二烯基)钇沉积于基体上；以及

(B)工序：将包含水蒸气的反应性气体导入至处理气氛中，通过使其与沉积于所述基体上的三(仲丁基环戊二烯基)钇反应而对钇进行氧化。

2.根据权利要求1所述的含氧化钇薄膜的制造方法，其中，

所述(B)工序中的所述基体的温度在150℃～300℃的范围。

3.根据权利要求1或2所述的含氧化钇薄膜的制造方法，其中，

在所述(A)工序与所述(B)工序之间以及所述(B)工序之后中的至少一方，具有对所述处理气氛的气体进行排气的工序。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的含氧化钇薄膜的制造方法，其中，

按照所述(A)工序、所述(B)工序的顺序，重复进行包括所述(A)工序和所述(B)工序的成膜循环。