[发明专利]有机半导体激光元件

说明书

包含下述通式所表示的化合物的有机半导体激光元件的激光束辐射的阈值低，且激光特性优异。A环、B环及C环为芳环或杂芳环，Y¹为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si‑R或Ge‑R，R为芳基或烷基，X¹及X²为O、N‑R’、S或S e，R’为芳基、杂芳基或烷基。

技术领域

本发明涉及一种将有机化合物用于发光材料的有机半导体激光元件。

背景技术

将有机化合物用于发光材料的有机半导体激光元件的开发被积极地推进。

例如，由Sorokin、Lankard、Schafer等人首次报告如下内容以后，使用了有机色素的激光器(染料激光器)取得了显著发展：通过将发光性有机色素溶解于有机溶剂中，并利用光进行强激发而获得激光束(例如，参考非专利文献1～非专利文献5)。

另一方面，还提出了一种利用了Eu络合物等稀土类络合物的有机半导体激光元件(参考非专利文献6)。关于该有机半导体激光元件，利用Eu络合物的三线态激子的长寿命而形成反向分布，由此欲实现电流激发型有机半导体激光元件。

而且，多次报告了如下内容：在包含高分子化合物、低分子化合物的介质中掺杂有有机色素的薄膜(有机固体薄膜)中，确认到由放大自发辐射(ASE：Amplified SpontaneousEmissiom)、谐振器结构引起的激光振荡(例如，参考非专利文献7～非专利文献11)。

以往技术文献

非专利文献

非专利文献1：Sorokin,P.P.；Lankard,J.R.IBM J.Res.Develop.1966,10,162-163

非专利文献2：Schafer,F.P.；Schmidt,W.；Volze,J.Appl.Phys.Lett.1966,9,306-309

非专利文献3：Soffer B.H.；McFarland,B.B.Appl.Phys.Lett.1967,10,266-267

非专利文献4：Sorokin,P.P.；Lankard,J.R.；Moruzzi,V.L.；Ham mond,E.C.J.Chem.Phys.1968,48,4726-4741

非专利文献5：Sorokin,P.P.；Lankard,J.R.；Moruzzi,V.L.；Lur io,A.Appl.Phys.Lett.1969,15,179-181

非专利文献6：Chihaya Adachi,Student Advanced technical paper,1989,Nippon Kogyo Shinbun

非专利文献7：Tessler,N.；Denton,G.J.；Friend,R.H.Nature 1996,382,695-697

非专利文献8：Frolov,S.V.；Ozaki,M.；Gellermann,W.；Vardeny,Z.V.；Yoshino,K.Jpn.J.Appl.Phys.1996,35,L1371-L1373

非专利文献9：Hide,F.；diaz-Garcia,M.A.；Schwartz,B.J.；Ande rsson,M.R.；Pei,Q.；Heeger,A.J.Science 1996,273,1833-1836

非专利文献10：Kozlov,V.G.；Bulovic,V.；Burrows,P.E.；Forres t,S.R.；Nature1997,389,362-364

非专利文献11：Berggren,M.；Dodabalapur,A.；Slusher,R.E.；Bao,Z.；Nature1997,389,466-469