[发明专利]有机半导体激光元件

权利要求书

1.一种有机半导体激光元件，其包含下述通式(1)所表示的化合物，

[化学式1]

通式(1)中，

A环、B环及C环分别独立地为芳环或杂芳环，这些环中的至少1个氢原子可以被取代，

Y¹为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si-R或Ge-R，所述Si-R及Ge-R的R为芳基或烷基，

X¹及X²分别独立地为O、N-R、S或Se，所述N-R的R为可以被取代的芳基、可以被取代的杂芳基或烷基，且所述N-R的R可以通过连接基团或单键与所述A环、B环及C环中的至少1个键合，并且，

通式(1)所表示的化合物或结构中的至少1个氢原子可以被卤素原子或氘原子取代。

2.根据权利要求1所述的有机半导体激光元件，其中，

所述通式(1)的A环、B环及C环分别独立地为芳环或杂芳环，这些环中的至少1个氢原子可以被取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的二芳基氨基、取代或未取代的二杂芳基氨基、取代或未取代的芳基杂芳基氨基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基或取代或未取代的芳氧基取代，且这些环具有与由Y¹、X¹及X²构成的上述通式中央的稠合双环结构共享键的5元环或6元环，

Y¹为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si-R或Ge-R，所述Si-R及Ge-R的R为芳基或烷基，

X¹及X²分别独立地为O、N-R、S或Se，所述N-R的R为可以被烷基或芳基取代的芳基、可以被烷基取代的杂芳基或烷基，且所述N-R的R可以通过-O-、-S-、-C(-R)₂-或单键与所述A环、B环及C环中的至少1个键合，所述-C(-R)₂-的R为氢原子或烷基，

所述通式(1)所表示的化合物或结构中的至少1个氢原子可以被卤素原子或氘原子取代。

3.根据权利要求1所述的有机半导体激光元件，其中，

所述通式(1)所表示的化合物为下述通式(2)所表示的化合物，

[化学式2]

通式(2)中，

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰及R¹¹分别独立地为氢原子、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、烷氧基或芳氧基，它们中的至少1个氢原子可以被芳基、杂芳基或烷基取代，且R¹～R¹¹中的相邻的基团彼此可以键合而与a环、b环或c环一起形成芳环或杂芳环，所形成的环中的至少1个氢原子可以被芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、烷氧基或芳氧基取代，它们中的至少1个氢原子可以被芳基、杂芳基或烷基取代，

Y¹为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si-R或Ge-R，所述Si-R及Ge-R的R为碳原子数6～12的芳基或碳原子数1～6的烷基，

X¹及X²分别独立地为O、N-R、S或Se，所述N-R的R为碳原子数6～12的芳基、碳原子数2～15的杂芳基或碳原子数1～6的烷基，且所述N-R的R可以通过-O-、-S-、-C(-R)₂-或单键与所述a环、b环及c环中的至少1个键合，所述-C(-R)₂-的R为碳原子数1～6的烷基，并且，

通式(2)所表示的化合物中的至少1个氢原子可以被卤素原子或氘原子取代。