[发明专利]用于监测功率半导体裸芯的器件和方法有效

专利信息
申请号: 201880020848.7 申请日: 2018-02-26
公开(公告)号: CN110462386B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: N·德格雷纳;S·莫洛夫;J·万楚克 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G01N21/84 分类号: G01N21/84;G01R31/26;G01R31/265;G01R31/311;G01N21/95;H01L21/66
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王小东;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 监测 功率 半导体 器件 方法
【权利要求书】:

1.一种用于监测涂覆有金属化层的功率半导体裸芯的器件,该器件包括涂覆有金属化层的至少一个功率半导体裸芯和具有两个相对端的至少一个光导,第一端能够至少连接到光源和光接收器,第二端被永久固定成从所述金属化层的远离所述功率半导体裸芯的一侧相隔一定距离地面对所述金属化层的顶表面,从而形成朝向所述顶表面的光路和源自所述顶表面的光路。

2.根据权利要求1所述的器件,所述器件还包括光源和光接收器,所述光源和所述光接收器都连接到所述光导的所述第一端,至少所述光接收器能够连接到处理器。

3.根据权利要求2所述的器件,所述器件还包括至少连接到所述光接收器的处理器,所述处理器被布置成将由所述光接收器收集到的光的特性与至少一个参考进行比较,所述参考包括以下中的至少一个:

-预定值,

-由所述光源发射的光的强度,所述处理器进一步连接到所述光源,

-由所述光接收器在过去收集到的光的强度,

-由所述处理器连接到的第二光接收器收集到的光的强度,以及

-由所述光源发射的光的波长,所述处理器进一步连接到所述光源,

所述处理器被进一步布置成根据比较结果生成监测信号。

4.根据权利要求1所述的器件,所述器件还包括至少一个分光器,所述分光器设置在所述光导的所述第一端和至少光源或光接收器之间的光路上。

5.根据权利要求2所述的器件,所述器件还包括至少一个分光器,所述分光器设置在所述光导的所述第一端和至少光源或光接收器之间的光路上。

6.根据权利要求3所述的器件,所述器件还包括至少一个分光器,所述分光器设置在所述光导的所述第一端和至少光源或光接收器之间的光路上。

7.根据权利要求1所述的器件,其中,所述光导包括至少两条光路,第一光路被布置成将光束从所述第一端引导到直至所述金属化层的所述顶表面,第二光路被布置成将光束从所述第二端引导到直至所述光导的所述第一端。

8.根据权利要求2所述的器件,其中,所述光导包括至少两条光路,第一光路被布置成将光束从所述第一端引导到直至所述金属化层的所述顶表面,第二光路被布置成将光束从所述第二端引导到直至所述光导的所述第一端。

9.根据权利要求3所述的器件,其中,所述光导包括至少两条光路,第一光路被布置成将光束从所述第一端引导到直至所述金属化层的所述顶表面,第二光路被布置成将光束从所述第二端引导到直至所述光导的所述第一端。

10.根据权利要求4所述的器件,其中,所述光导包括至少两条光路,第一光路被布置成将光束从所述第一端引导到直至所述金属化层的所述顶表面,第二光路被布置成将光束从所述第二端引导到直至所述光导的所述第一端。

11.根据权利要求5所述的器件,其中,所述光导包括至少两条光路,第一光路被布置成将光束从所述第一端引导到直至所述金属化层的所述顶表面,第二光路被布置成将光束从所述第二端引导到直至所述光导的所述第一端。

12.根据权利要求6所述的器件,其中,所述光导包括至少两条光路,第一光路被布置成将光束从所述第一端引导到直至所述金属化层的所述顶表面,第二光路被布置成将光束从所述第二端引导到直至所述光导的所述第一端。

13.根据权利要求7所述的器件,其中,联合地选择所述光导的所述第二端的末端表面的构造以及所述第二端相对于所述金属化层的所述顶表面的相对位置,使得从所述第一光路输出的光中的大部分在所述顶表面的区域上被反射,然后进入所述第二光路。

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