[发明专利]脉冲光束光谱特征控制有效
申请号: | 201880020530.9 | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN110521071B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 邓国泰 | 申请(专利权)人: | 西默有限公司 |
主分类号: | H01S3/10 | 分类号: | H01S3/10;H01S3/23;H01S3/03;H01S3/00;G02B26/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑振 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 脉冲 光束 光谱 特征 控制 | ||
通过接收指令调节光源所产生的脉冲光束的光谱特征以将该脉冲光束的光谱特征从第一目标范围中的数值改变为第二目标范围中的数值;调整该光源的第一操作特性;确定针对该光源的第二可致动装置的调节;并且以基于所确定的调节的量调节该第二可致动装置。通过调节该光源的第一可致动装置调整该第一操作特性,直至确定该第一操作特性处于可接受数值范围之内。针对该第二可致动装置的调节至少部分基于以下来确定:第一可致动装置的调节与该光束的光谱特征之间的关系,以及该第二目标范围。
本申请要求于2017年03月24日提交的美国申请15/468,402的优先权,该申请通过引用全文结合于此。
技术领域
所公开的主题涉及对光源所产生的脉冲光束的光谱特征的控制。
背景技术
在半导体平版印刷术(或光刻术)中,集成电路(IC)的制造包括半导体(例如,硅)衬底(其也被称作晶片)上的各种物理和化学处理。光刻曝光装置或扫描仪是将所期望的图案应用到衬底的目标部分上的机器。晶片被沿轴向方向延伸的光束所照射,并且该晶片被固定到台面而使得该晶片总体上沿着与该轴向方向基本上正交的横向平面延伸。该光束具有深紫外(DUV)范围内的波长,例如从大约10纳米(nm)至大约400nm。该光束沿(与沿晶片所延伸的横向平面正交的)轴向方向行进。
光谱分析模块被用来测量光束的光谱特征,并且这样测量的光谱特征被用来控制光束的多个方面。通过控制光束,可以控制各种光刻属性。例如,可以控制晶片处的最小特征大小或关键尺寸,或者可以控制诸如叠加、表面粗糙度和接近度校正之类的图案属性。
发明内容
在一些总体方面,使用一种方法对光源所产生的脉冲光束的光谱特征进行调节。该方法包括:接收指令以将该脉冲光束的光谱特征从第一目标范围中的数值改变为第二目标范围中的数值;调整该光源的第一操作特性;确定针对该光源的第二可致动装置的调节;并且以基于所确定的调节的量调节该第二可致动装置。通过调节该光源的第一可致动装置调整该第一操作特性,直至确定该第一操作特性处于可接受数值范围之内。针对该第二可致动装置的调节至少部分基于以下来确定:第一可致动装置的调节与该光束的光谱特征之间的关系,以及该第二目标范围。
实施方式可以包括以下特征中的一个或多个。例如,该光源的第一操作特性能够通过执行作为反馈回路的调整而被调整,所述反馈回路包括:在该第一可致动装置被调节之后观察该光源的第一操作特性;确定所观察的第一操作特性是否处于可接受数值范围之内;并且在确定所观察的第一操作特性处于可接受数值范围之外的情况下调节该光源的第一可致动装置。
至少一些针对该第二可致动装置的调节的确定以及至少一些对该第二可致动装置的调节可以在确定该第一操作特性处于可接受数值范围之内之前进行。
针对该第二可致动装置的调节可以由该第一可致动装置的调节所导致的该光束的光谱特征的偏移所确定。该偏移可以基于以下来估计:该第一操作特性的初始数值和该第一操作特性的目标数值之间的差值,其中该第一操作特性的目标数值处于可接受数值范围之内;定义该第一操作特性与该第一可致动装置的状态之间的关系的校准数值;以及该光束的所测量光谱特征比对该第一可致动装置的状态的时序曲线的斜率。针对该第二可致动装置的调节可以通过计算针对该第二可致动装置的偏移调节来确定,所述偏移调节补偿该第一可致动装置的调节所导致的该光束的光谱特征的估计偏移。针对该第二可致动装置的偏移调节可以通过将该估计偏移乘以该光束的所测量光谱特征与该第二可致动装置的状态之间的关系的斜率来计算。针对该光源的第二可致动装置的调节可以通过计算针对该第二可致动装置的、对应于该第二目标范围的主调节来确定。针对该光源的第二可致动装置的调节可以通过将该偏移调节和该主调节相加在一起以确定该调节来确定。
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