[发明专利]反射镜，特别是微光刻投射曝光设备的反射镜

说明书

本发明涉及反射镜，特别是微光刻投射照明系统的反射镜，其中反射镜具有光学操作表面，包括基板(11、61、71、81、91)；反射层系统(16、66、76、86、96)，反射在光学操作表面(10a、60a、70a、80a、90a)上入射的电磁辐射；电极组装件(13、63、73、83)，配备在基板(11、61、71、81、91)上并由具有第一电导率的第一材料构成；以及中介层(12、62、72、82、92)，由具有第二电导率的第二材料构成。第一电导率和第二电导率之间的比率至少为100，并且反射镜具有至少一个补偿层(88)，其至少部分地补偿电极组装件(83)的热膨胀对光学操作表面(80a)的形变的影响。

本申请要求2017年3月30日提交的德国专利申请DE 10 2017 205 405.0的优先权。该德国申请的全部内容通过引用并入本申请文本中。

发明背景

技术领域

本发明涉及反射镜，特别是微光刻投射曝光设备的反射镜。

背景技术

微光刻用于制造诸如集成电路或LCD的微结构部件。在包括照明装置和投射镜头的称为光刻曝光设备中实行微光刻工艺。在这种情况下，通过投射镜头将通过照明装置所照明的掩模(＝掩模母版)的像投射到涂有感光层(光刻胶)且在投射镜头的像平面中布置的基板(例如硅晶片)上，以便于将掩模结构转印至基板的感光涂层。

在针对EUV范围(即在例如近似13nm或近似7nm的波长处)所设计的投射曝光设备中，由于缺乏可利用的适当光透射折射材料，所以将反射光学元件用作成像过程的光学部件。

在这种情况下，已知的是，尤其使用波前校正元件以便校正操作光学系统期间发生的波前像差。除了成像光学单元的像差以外，还可以校正掩模母版和/或晶片的缺陷以及在在晶片上的结构产生期间的整个过程链中发生的其他缺陷。在操作针对EUV设计的投射曝光设备期间所发生的像差可能例如由以下事实而引起：特别是由于对由EUV光源发射的辐射的吸收，EUV反射镜经历加热并伴随热膨胀或形变，这可能继而导致对光学系统的成像性质的损坏。这正是这样的情况，特别是使用具有相对较少照明极的照明设定(例如双极或四极照明设定)，其中反射镜加热或形变在反射镜的光学有效表面上大大地变化。

克服该问题的一个可能方法是具有在至少一个表面处以分布的方式布置的电学导电导体轨道的波前校正元件，波前校正元件与照射的电磁辐射的相互作用能够通过电驱动所述导体轨道来影响。根据(透射或反射)配置，电磁辐射的波前的所得到的可实现操纵可以特别是基于通过电驱动导体轨道所引起的波前校正元件的变形和/或折射率变化。

然而，实际上在此发生的一个问题在于，在波前校正元件的产生过程的期间和/或在其操作期间，可发生波前校正元件相对于埋入绝缘层中的导体轨道的充电，其中随着电场强度增加，可能最终发生穿过相关绝缘层的电击穿。伴随的闪光状的电学放电可能导致部分地熔穿，以损坏或者甚至破坏导体轨道以及可能连接于其的电部件。

此外，这样的波前校正元件的制造过程由于制造步骤要部分地在镀膜设备的外部实行而变得相对复杂。

还已知的方法包括使用红外(IR)加热装置，然而它尤其具有以下缺点：相对较高热负载生成位于在各个情况下实际要加热的区域的外部(特别是还在相邻光学部件的区域中)。

关于现有技术，仅作为示例参考DE 10 2006 045 075 A1、US 8,508,854 B2、US7,112,772 B2、EP 0 965 871 B1、WO 2004/036316 A1、EP 1 103 857 B1、DE 10 2012 212757 A1和EP 2 103 978 A1。

发明内容

本发明的目的为提供反射镜，特别是微光刻投射曝光设备的反射镜，该反射镜使得可以设定在反射镜表面上横向变化的温度场，该设定局部地定界于反射镜，并且同时在相对简单且稳健制造工艺中是可制造的。