[发明专利]用于输送气体的设备及用于产生高谐波辐射的照射源

说明书

公开了适合于高谐波产生(HHG)辐射源的气体输送系统，所述高谐波产生辐射源可以用于产生用于检查设备的测量辐射。在这样的辐射源中，气体输送元件在第一方向上输送气体。所述气体输送元件具有光学输入和光学输出，限定了在第二方向上延伸的光学路径。所述第一方向相对于所述第二方向以不垂直且不平行的角度来布置。也公开了一种具有气体射流成形装置的气体输送元件，或一对气体输送元件，其中的一个输送第二气体，使得所述气体射流成形装置或第二气体可操作以修改所述气体的流轮廓使得所述气体的数量密度急剧降低。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年3月15日递交的欧洲申请17160996.9、于2017年6月13日递交的欧洲申请17175640.6以及于2017年9月4日递交的欧洲申请17189172.4的优先权，通过引用将其全文并入本发明中。

技术领域

本发明涉及一种气体输送设备，尤其涉及一种用于照射或辐射系统中的气体输送设备。

背景技术

光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于所述IC的单个层上的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或几个管芯)上。施加每一层具有特定图案和材料组成的多个层以限定成品的功能器件和互连。

在光刻过程中，期望频繁地进行所产生的结构的测量，例如用于过程控制和证实。用于进行这些测量的各种工具是已知的，包括常常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜，和用于测量重叠(器件中两个层的对准的准确度)的定制工具。近来，已经开发用于光刻领域中的各种形式的散射仪。

已知的散射仪的示例常常依赖于专用量测目标的设置。例如，方法可以需要呈简单光栅的形式的目标，所述光栅足够大以使得测量束产生小于所述光栅的斑(即，所述光栅填充不足)。在所谓的重建方法中，可以通过模拟散射辐射与目标结构的数学模型的相互作用来计算光栅的属性。调整所述模型的参数直到所模拟的相互作用产生相似于从真实目标所观察的衍射图案的衍射图案为止。

除了通过重建测量特征形状以外，可以通过使用这样的设备来测量基于衍射的重叠，如在公开的专利申请US2006066855A1中所描述的。通过使用衍射阶的暗场成像的基于衍射的重叠量测能够实现对较小目标的重叠测量。这些目标可以小于照射斑且可以由晶片上的产品结构围绕。在诸如例如US2011102753A1和US20120044470A的诸多公开的专利申请中可以找到暗场成像量测的示例。可以通过使用复合光栅目标在一个图像中测量多个光栅。已知的散射仪趋向于使用在可见波或近IR波范围中的光，其要求光栅的节距比其属性实际上是感兴趣的实际产品结构粗略得多。可以通过使用具有短得多的波长的深紫外线(DUV)或极紫外线(EUV)辐射来限定这些产品特征。不利地是，这些波长通常不可用于或不能用于量测。

另一方面，现代产品结构的尺寸是如此的小使得它们不能通过光学量测技术来成像。小的特征包括例如通过多重图案形成过程和/或节距倍增而形成的特征。因此，用于大容量的量测的目标常常使用比重叠误差或临界尺寸为感兴趣的属性的产品大得多的特征。测量结果仅与真实产品结构的尺寸间接地相关，且可能是不准确的，这是因为量测目标不遭受在光刻设备中的光学投影下的相同变形，和/或制造过程的其它步骤中的不同处理。虽然扫描电子显微术(SEM)能够直接地分辨这些现代产品结构，但是SEM比光学测量消耗更加多的时间。此外，电子不能够穿透厚的过程层，其使得电子较不适合用于量测应用。诸如通过使用接触垫来测量电属性的其它技术也是已知的，但是其仅提供真实产品结构的间接证据。