[发明专利]功率开关装置和操作所述功率开关装置的方法

说明书

一种功率开关装置(1)，包括缓冲电路(3)、滤波电路(4)、变压器(5)、恢复电路(9)、调节电路(10)和功率开关(13)。缓冲电路(3)提供取决于输入电压(Vsubgt;in/subgt;)和控制电压(Vsubgt;G/subgt;)的单极缓冲输出电压(Vsubgt;b/subgt;)。滤波电路(4)阻断缓冲输出电压(Vsubgt;b/subgt;)的直流分量，该直流分量被恢复电路(9)添加在变压器(5)的次级侧上。功率开关(16)由恢复电路(9)提供给调节电路(10)的单极调节电压(Vsubgt;D/subgt;)控制。功率开关装置(1)充当即插即用模块，并且可以以灵活和容易的方式使用和操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求欧洲专利申请EP 17 161 130.4的优先权，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及功率开关装置和操作所述功率开关装置的方法。

背景技术

文献US 4 461 966 A(对应于文献DE 30 45 771 A1)公开了一种用于控制至少一个功率FET的电路。从控制器将单极输入电压施加到输入端子。输入电压被差分。所产生的双极电压由于变压器而出现为在变压器次级侧的输出电压。输出电压的正脉冲通过二极管到达栅极，且为FET的输入电容充电。通过这种方式，FET被接通。同时，通过齐纳二极管对电容器进行充电。由于后续的负脉冲，齐纳二极管被击穿并且电容器被放电，使得与输入电容并联连接的晶体管关断。结果输入电容放电并且FET被阻断。该已知的电路具有如下缺点：FET的驱动电压的电平取决于输入电压的占空比并且控制器必须提供所需的功率以操作电路。

US 2014/0367563 A1公开了一种用于驱动MOSFET的隔离驱动电路。

US 2003/0164721 A1公开了一种用于给高功率开关晶体管(即，IGBT)提供控制信号的驱动电路，

US 5 019 719 A公开了一种用于驱动功率MOSFET的驱动电路。通过提供穿过电容器的辅助电压而驱动功率MOSFET，电容器并联连接到电阻器。通过两个低功率MOSFET晶体管和电阻器给电容器充电和放电。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种能够以灵活和容易的方式使用和操作的功率开关装置。特别地，本发明的一个目的是提供一种构造为即插即用模块且可以容易地安装的功率开关装置。