[发明专利]运输环

说明书

本发明涉及一种用于运输基片的设备，所述基片是至少部分围绕环形开口的环形体(1)的形状，所述环形体具有相对于环形开口径向向外突伸的第一部段(2)和径向向内突伸的第二部段(3)，其中，这些部段(2、3)分别具有热传递特性，其导致在相对于环形开口的平面的面法向存在轴向温度差时出现从相应的下宽侧面至相应的上宽侧面的经由所述部段的轴向的热传递。所述第一部段(2)的至少一种热传递特性与所述第二部段(3)的热传递特性不同，使得沿轴向在所述第一部段(2)中流过单位面积的热量小于在所述第二部段(3)中流过单位面积的热量，其中，热传递特性是这些部段(2、3)的至少一个沿轴向指向的表面的单位导热能力或辐射率。

技术领域

本发明涉及一种用于运输基片的设备，所述设备呈至少部分围绕环形开口的环形体的形式，所述环形体具有相对于环形开口径向向外突伸的第一部段和径向向内突伸的第二部段，其中，这些部段分别具有第一和第二比热传递特性，所述第一和第二比热传递特性在相对于环形开口的平面的面法向存在轴向温度差时确定了经由所述部段的轴向的热传递。

背景技术

由文献WO 2012/096466 A2已知一种CVD(化学气相沉积)反应器，其中，基座可转动地安置在反应室内，在基座上布置有多个基片支架。基片支架贴靠在从下方被加热的基座的向上指向的宽侧上，从而形成温度传递的面状接触。在基片支架的向上指向的宽侧上布置有基片、尤其半导体基片，其通过输入到布置在基座上方的处理室内的处理气体被覆层。为了自动化地在基片支架上侧上放置基片并且为了从基片支架上侧上再次移除基片，设有抓取件，该抓取件具有两个抓取臂，抓取臂从下方抓取运输环的边缘，运输环放置在基片支架的环形阶梯上并且通过径向向内指向的部段从下方抓取基片的外侧边缘。运输环的径向外侧指向的部段突伸超出基片支架的确定侧面边缘的侧面，使得运输环的向外指向的部段可以被抓取件的两个抓取臂从下方抓取。

覆层过程在处理室中实现，处理室的上壁被冷却，使得在被加热的基座和处理室盖板之间形成巨大的温度梯度。温度梯度导致从基座至处理室盖板的热流，其中，由于大于500摄氏度、在一些处理过程中也大于1000摄氏度的较高的基座温度，通过热辐射和经由基片支架以及放置在基片支架上的基片也通过导热实现热流。

在文献DE 10 2004 058 521 A1中描述了一种类似的设备。但是在此，基片没有放置在运输环的第二部段上。然而运输环支承着多个径向向内突伸的、环形的支撑件，基片的外边缘支承在支撑件上。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，如此改进运输环，使得沉积在基片上的层获得更高的横向的均匀性。

模型计算获得的结果是，在运输环在CVD反应器内的传统的布置方式中，用于放置在抓取件的抓取臂上的、径向向外指向的第一部段被加热到比用于从下方抓握基片的边缘的、径向向内突伸的第二部段更低的温度。构成的运输环的主体的导热能力使得热量从第二部段流向第一部段，这导致，基片的边缘区域具有比基片的中央区域更低的表面温度，基片布置在基片支架的向上指向的宽侧面的上面并且尤其接触地放置在宽侧面上。由于该温度差，在边缘区域存在与在中央区域中不同的生长条件，这导致，沉积在基片上的层的化学计量的成分，该层的厚度或者层的掺杂物至少在边缘区域中具有非均匀性。在运输环上一方面要求在支承基片的元件的区域内具有较高的导热能力，由此由基座提供的热量穿过基片支架和运输环流到基片的边缘，使得基片的边缘被加热到相同的温度，基片的中央区域也被加热到该温度。另一方面，从运输环的支承基片的边缘的部段向运输环的用于放置在抓取件上的部段的热量损失被最小化。