[发明专利]高纯度电解铜

说明书

本发明提供一种高纯度电解铜，其中，除气体成分O、F、S、C、Cl以外的Cu的纯度为99.9999质量％以上，且S的含量为0.1质量ppm以下，在沿厚度方向的截面上通过电子背散射衍射进行了晶体取向测定的结果，具有(101)±10°的面取向的晶体的面积率小于40％。

技术领域

本发明涉及一种除气体成分(O、F、S、C、Cl)以外的Cu的纯度为99.9999质量％以上且通过电解精炼而电沉积于阴极板的表面的高纯度电解铜。

本申请基于2017年6月1日在日本申请的专利申请2017-109244号、2017年6月2日在日本申请的专利申请2017-110418号以及2018年5月21日在日本申请的专利申请2018-097318号及专利申请2018-097319号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

除气体成分(O、F、S、C、Cl等)以外的Cu的纯度为99.9999质量％以上的高纯度铜例如用于溅射靶、键合线、音频电缆、加速器等用途。

作为得到这种高纯度铜的方法，广泛采用如下电解精炼法：在具有铜离子的电解液中浸渍例如由纯度99.99质量％左右的铜板构成的阳极板和例如由不锈钢板构成的阴极板，并向这些进行通电，由此通过电解反应使高纯度的铜电沉积于阴极板的表面上。而且，通过剥离电沉积于阴极板的表面上的铜，得到比阳极板纯度更高的电解铜。

例如，在专利文献1中公开有如下方法：将在硫酸铜水溶液中进行电解提纯而得到的铜进一步在硝酸水溶液中以100A/m²以下的电流密度再次进行电解，由此得到高纯度电解铜。

并且，在专利文献2中公开有一种规定了作为杂质而包含的非金属夹杂物的粒径及粒子数的高纯度铜。

在此，在上述电解精炼法中，为了控制电沉积于阴极板上的铜的形态，通常进行将抑制电解反应的添加剂(例如动物胶)添加到电解液中的处理。然而，上述动物胶含有硫成分，因此具有通过电沉积而得到的铜的硫含量上升的倾向。

因此，在专利文献3中公开有如下内容：为了减少通过电沉积而得到的铜的硫含量，作为添加剂，使用聚乙二醇(PEG)或聚乙烯醇(PVA)。

这些控制电解反应的添加剂若其效果不足或过大，则在电沉积于阴极板的表面上的铜的表面产生凹凸，或者产生枝晶等电沉积异常。导致电解液被捕捉于该异常部分，无法充分提高电解铜的纯度，因此添加剂的控制是非常重要的。

专利文献1：日本特公平08-000990号公报(A)

专利文献2：日本特开2005-307343号公报(A)

专利文献3：日本专利第4620185号公报(A)

当使用了以往的添加剂时，过度抑制阴极板中的电解反应，因此具有电沉积应力变高的倾向。因该电沉积应力而在电沉积于阴极板的表面上的铜中产生翘曲而在电解中脱落，有时无法稳定地制造电解铜。并且，即使在电解中未脱落而得到了电解铜的情况下，若从阴极板上剥离而放置，则因残留于电解铜中的电沉积应力(残余应力)而产生翘曲，存在难以进行其后的处理的问题。

发明内容

该发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种除气体成分以外的Cu的纯度为99.9999质量％以上，并且S的含量为0.1质量ppm以下，通过降低电沉积时的电沉积应力而能够稳定地进行制造，并且即使从阴极板上剥离之后翘曲的产生也得到抑制而处理性优异的高纯度电解铜。

为了解决上述课题，本发明的高纯度电解铜的特征在于，除气体成分(O、F、S、C、Cl)以外的Cu的纯度为99.9999质量％以上，且S的含量为0.1质量ppm以下，在沿厚度方向的截面上通过电子背散射衍射进行了晶体取向测定的结果，具有(101)±10°的面取向的晶体的面积率小于40％。