[发明专利]高纯度电解铜有效
| 申请号： | 201880015294.1 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN110382743B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 樽谷圭荣;久保田贤治;中矢清隆;荒井公 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C25C1/12 | 分类号： | C25C1/12 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 电解铜 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯度电解铜，其特征在于，
除气体成分O、F、S、C、Cl以外的Cu的纯度为99.99999质量％以上，且S的含量为0.1质量ppm以下，
在沿厚度方向的截面上通过电子背散射衍射进行了晶体取向测定的结果，具有(101)±10°的面取向的晶体的面积率为5％以上且小于40％。
2.根据权利要求1所述的高纯度电解铜，其特征在于，
在沿厚度方向的截面上通过电子背散射衍射进行了晶体取向测定的结果，具有(111)±10°的面取向的晶体的面积率小于15％。
3.根据权利要求1所述的高纯度电解铜，其特征在于，
在沿厚度方向的截面上，以晶粒的长轴a和与该长轴a正交的短轴b表示的纵横比b/a小于0.33的晶粒的面积率小于40％。
4.根据权利要求2所述的高纯度电解铜，其特征在于，
在沿厚度方向的截面上，以晶粒的长轴a和与该长轴a正交的短轴b表示的纵横比b/a小于0.33的晶粒的面积率小于40％。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的高纯度电解铜，其特征在于，
S的含量为0.02质量ppm以下。
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