[发明专利]校正用于5nm和20nm之间波长范围的反射光学元件的方法

说明书

本发明涉及一种校正用于从5nm到20nm的波长范围的反射光学元件的方法，该反射光学元件包括基板上的多层系统，该多层系统包括由在极紫外波长范围中的波长处具有不同折射率实部的至少两个交替布置的不同材料构成的层。所述方法包括以下步骤：测量所述多层系统的表面之上的反射率分布；将所测得的反射率分布与在多层系统的表面之上的标称反射率分布相比较，并且确定至少一个部分表面，其具有的测得的反射率大于标称反射率；以及用离子或电子辐射至少一个部分表面。

技术领域

本发明涉及校正用于从5nm到20nm的波长范围的反射光学元件的方法，该反射光学元件在基板上具有多层系统，其中多层系统的层由在极紫外波长范围的波长处具有不同折射率实部的至少两个不同材料制成，所述层交替地布置。本发附加地涉及用于从5nm到20nm的波长范围的反射光学元件，该反射光学元件在基板上具有多层系统，其中多层系统的层由在极紫外波长范围的波长处具有不同折射率实部的至少两个不同材料制成，该层交替地布置。本发明还涉及光学系统和EUV光刻设备。本专利申请要求于2017年2月28日的德国专利申请10 2017 203 246.4的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

背景技术

在EUV光刻设备中，极紫外(EUV)波长范围(例如在近似5nm和20nm之间的波长)的反射光学元件，诸如基于多层系统的掩模或反射镜，用于半导体部件的光刻。因为EUV光刻设备通常具有多个反射光学元件，所以它们必须具有尽可能高的反射率以确保足够高的整体反射率。

在反射光学元件的多层系统的表面之上的反射率分布可以影响具有这样的反射光学元件的光学系统的成像性质，例如切趾和波前。时常关注的是反射的辐射的特别高的均匀性。可能需要的是，校正一个或多个EUV反射镜或掩模，例如以获得通过光学系统可用的辐射的增加的均匀性。类似的光学系统不仅用于EUV光刻中，而且用于掩模或晶片检验的装置中。

从US 2002/0122989 A1已知的是，关于制造EUV光刻的掩模，通过具有特别是聚焦的电子束的辐射来局部降低掩模上的多层系统的反射率。特别地，在基于钼和硅的多层系统中，通过电子束将能量引入到多层系统中，而导致层厚度的收缩，该收缩与能量剂量成比例且是基于二硅化钼的形成。

发明内容

本发明的目的是提出校正EUV反射镜的方法。

该目的由校正用于从5nm到20nm的波长范围的反射光学元件的方法来实现，该反射光学元件在基板上具有多层系统，其中多层系统的层由在极紫外波长范围的波长处具有不同折射率实部的至少两个不同材料制成，该层交替地布置，所述方法具有以下步骤：

-测量多层系统的表面之上的反射率分布；

-将所测得的反射率分布与在多层系统的表面之上的反射率的目标分布相比较，并且确定具有大于目标反射率的测得的反射率的一个或多个部分表面；以及

-用离子或电子辐射一个或多个部分表面。

针对EUV辐射而设计的多层系统的反射率由材料的交替序列来确保，该反射率高度敏感地取决于相应层厚度和层之间的界面。可以通过辐射多层系统来局部地改变结构，使得损失精确的周期性并且因此在那点处降低反射率。

提出的过程的一个优点在于，已经出现在光学系统中的反射镜或掩模可以被检查并且可能被部分地辐射。取决于光学系统的设计，辐射还可以原位地发生，甚至可以在光学系统的操作期间发生。提出的过程同样地可以用在检验掩模和掩模底版的装置中。反射镜还可以如所提出的在光学系统外部得到校正。