[发明专利]校正用于5nm和20nm之间波长范围的反射光学元件的方法

权利要求书

1.一种校正用于从5nm到20nm的波长范围的反射光学元件的方法，所述反射光学元件在基板上具有多层系统，其中所述多层系统的层由在极紫外波长范围的波长处具有不同折射率实部的至少两个不同材料制成，所述层交替地布置，所述方法具有以下步骤：

-测量所述多层系统的表面之上的反射率分布；

-将所测得的反射率分布与在所述多层系统的表面之上的反射率的目标分布相比较，并且确定一个或多个部分表面，该一个或多个部分表面具有的测得的反射率大于目标反射率；以及

-用离子或电子辐射所述一个或多个部分表面，以校正所确定的一个或多个部分表面的反射率分布。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标分布在平均值附近波动不超过1％。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选择辐射期间的所述离子或电子的能量，使得其小于溅镀极限和/或压实极限。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，脉冲的离子束或电子束用于所述辐射。

5.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，镓、铟、铋、锡或金离子用于所述辐射。

6.一种反射光学元件，用于从5nm到20nm的波长范围，所述反射光学元件在基板上具有多层系统，其中所述多层系统的层由在极紫外波长范围的波长处具有不同折射率实部的至少两个不同材料制成，所述层交替地布置，所述反射光学元件如权利要求1至5中任一项中所述的方法来制造。

7.根据权利要求6所述的反射光学元件，其特征在于，所述反射光学元件实施为反射镜、掩模底版或掩模的形式。

8.一种光学系统，所述光学系统具有如权利要求6或7所述的反射光学元件或者如权利要求1至5中任一项所述的方法来制造的反射光学元件。

9.一种具有光学系统的EUV光刻设备，所述光学系统具有EUV辐射源和如权利要求6或7所述的反射光学元件，其中所述EUV辐射源的辐射以在所述反射光学元件的多层系统的表面上变化的强度入射到所述反射光学元件上，其特征在于，具有大于0.25nm的均方根粗糙度的一个或多个部分表面(206)位于较高强度的表面区域中。

10.一种具有光学系统的EUV光刻设备，所述光学系统具有EUV辐射源和如权利要求1至5中任一项所述的方法所制造的反射光学元件，其中所述EUV辐射源的辐射以在所述反射光学元件的多层系统的表面上变化的强度入射到所述反射光学元件上，其特征在于，用离子或电子辐射的一个或多个部分表面(206)位于较高强度的表面区域中。