[发明专利]高频用晶体管

说明书

高频用晶体管具有源极电极(3)、漏极电极(2)、栅极电极(1)、以及向栅极电极(1)施加电压的栅极驱动布线(12)，在栅极电极(1)与栅极驱动布线(12)之间连接有阻抗调整电路(4)，从阻抗调整电路(4)来看与栅极电极(1)的连接点时的栅极电极(1)的特性阻抗为Z1，从阻抗调整电路(4)来看与栅极驱动布线(12)的连接点时的栅极驱动布线(12)的特性阻抗为Z2，阻抗调整电路(4)的特性阻抗X为Z1与Z2之间的值。

技术领域

本发明涉及高频用晶体管，涉及场效应晶体管(FET：Field Effect Transistor)型的高频用晶体管。

背景技术

图1是表示专利文献1中记载的FET的平面图。

如图1所示，专利文献1的FET具备动作栅极部分807o、漏极电极806、源极电极805、栅极供给部分807s、交叉连接部807c。

FET的动作栅极部分807o被漏极电极806和源极电极805夹持。另外，栅极供给部分807s与源极电极805并行配置，由动作栅极部分807o和栅极供给部分807s夹持源极电极805。并且，动作栅极部分807o通过多个交叉连接部807c而与栅极供给部分807s在多个部位进行连接。

在专利文献1中，栅极供给部分807s由与漏极电极806同等的电阻成分低的布线构成。通过将该栅极供给部分807s在多个部位与动作栅极部分807o连接，能够抑制使细长的带状线结构的动作栅极部分807o沿纵向增加时的电阻成分的增加，并且降低动作栅极部分807o和漏极电极的相位差的扩大，由动作栅极部分807o实现总栅极宽度的扩大。

图2是表示专利文献2记载的(a)微波晶体管和(b)栅极结构的平面图。

如图2的(a)和(b)所示，作为该微波晶体管的FET具备栅指(gate finger)905、栅极的总线904、栅极的输入点908、栅极的旁通线907、源极902、以及漏极的输出点909。

FET的栅指905被漏极901的指和源极902的指夹持。栅指905构成为从栅极的总线904延伸的梳状。该栅极的总线904由两段构成，从而在纵向上具备两条栅指905。并且，从栅极的总线904的中央部到所连接的栅指905的距离越远，栅指905的长度就越短。

专利文献2中，通过使栅极的总线904成为两段，从而将由一段构成时的横向扩展抑制为一半。此外，专利文献2中，通过调整与从栅极的总线904的中央部到栅指905的距离对应的栅指905的长度，从而消除了各栅指905的前端彼此的相位差。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第1305975号公报

专利文献2：日本专利第2739851号公报

发明概要

发明要解决的课题

但是，专利文献1和专利文献2的FET中，存在栅极输入的不匹配损耗大这样的问题。并且，还有容易产生栅极和漏极的相位差这样的问题。发明内容

为此，本发明的目的是提供一种高频用晶体管，即使作为在纵向上增加指而扩大了总栅极宽度的高频用晶体管，也能够抑制对栅极的输入不匹配损耗，抑制栅极和漏极的相位差，实现高增益性能、高效率特性。

解决课题的手段