[发明专利]高频用晶体管

权利要求书

1.一种高频用晶体管，其特征在于，

具备：

半导体基板；

源极电极，形成在所述半导体基板上；

漏极电极，形成在所述半导体基板上；

栅极电极，形成在所述半导体基板上；

栅极驱动布线，用于向所述栅极电极施加电压；以及

阻抗调整电路，连接在所述栅极电极与所述栅极驱动布线之间，

从所述阻抗调整电路来看与所述栅极电极的连接点时的所述栅极电极的特性阻抗为Z1，

从所述阻抗调整电路来看与所述栅极驱动布线的连接点时的所述栅极驱动布线的特性阻抗为Z2，

所述阻抗调整电路的特性阻抗X具有Z1与Z2之间的值，

所述高频用晶体管还具备：

接地用导体膜，形成在所述半导体基板的两个主面中的与形成有所述阻抗调整电路的面为相反侧的面上；以及

源极电位层，与所述源极电极为相同电位，

所述源极电位层形成于所述栅极电极上方和所述阻抗调整电路上方这两方。

2.根据权利要求1所述的高频用晶体管，其特征在于，

所述特性阻抗X满足X＜(Z1+Z2)×1/2。

3.根据权利要求1所述的高频用晶体管，其特征在于，

所述阻抗调整电路是特性阻抗为X1的第一阻抗电路、与特性阻抗为比所述特性阻抗X1大的X2的第二阻抗电路的串联电路，

将所述特性阻抗Z1和所述特性阻抗Z2中的值较小的一方设为Zs并将值较大的一方设为Zb时，

所述特性阻抗X1和所述特性阻抗X2满足：

X1≦Zs+(Zb－Zs)×1/3、X2≦Zs+(Zb－Zs)×2/3，

所述第一阻抗电路，与所述栅极电极和所述栅极驱动布线中的所述特性阻抗的值为Zs的一方连接，

所述第二阻抗电路，与所述栅极电极和所述栅极驱动布线中的所述特性阻抗的值为Zb的一方连接。

4.根据权利要求1所述的高频用晶体管，其特征在于，

所述高频用晶体管具备多个所述阻抗调整电路，

所述栅极电极与所述栅极驱动布线在多个部位分别经由一个所述阻抗调整电路进行连接。

5.根据权利要求4所述的高频用晶体管，其特征在于，

所述高频用晶体管具有向所述栅极驱动布线传递信号的栅极总线，

所述栅极电极的末端部中的与所述栅极总线较近侧的末端部经由一个所述阻抗调整电路而与所述栅极驱动布线连接，

所述栅极电极的末端部中的与所述栅极总线较远侧的末端部经由另一个所述阻抗调整电路而与所述栅极驱动布线连接。

6.根据权利要求4所述的高频用晶体管，其特征在于，

具有向所述栅极驱动布线传递信号的栅极总线，

所述栅极电极的末端部中的与所述栅极总线较近侧的末端部经由一个所述阻抗调整电路而与所述栅极驱动布线连接，

所述栅极电极的末端部以外的部位经由另一个所述阻抗调整电路而与所述栅极驱动布线连接。

7.根据权利要求1所述的高频用晶体管，其特征在于，

所述高频用晶体管具有：

多个所述栅极电极；

多个所述阻抗调整电路；以及

向所述栅极驱动布线传递信号的栅极总线，

多个所述栅极电极各自分离地排列在一直线上，

多个所述栅极电极各自的末端部中的与所述栅极总线较近侧的末端部分别经由一个所述阻抗调整电路而与所述栅极驱动布线连接。

8.根据权利要求1所述的高频用晶体管，其特征在于，

所述阻抗调整电路具有带状线，

所述带状线的线宽W、以及所述带状线与所述源极电位层的距离H满足0.5≦W/H≦50。