[发明专利]等离子处理装置在审
| 申请号: | 201880011654.0 | 申请日: | 2018-07-20 |
| 公开(公告)号: | CN110933956A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
| 发明(设计)人: | 阿尼尔潘迪;釜地义人;角屋诚浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴秋明 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子 处理 装置 | ||
1.一种等离子处理装置,具备:
处理室;
将所述处理室的内部排气成真空的真空排气部;
对所述处理室的内部提供气体的气体提供部;
配置于所述处理室内的内部来载置处理对象的样品的样品台;
在所述样品台的上方构成所述处理室的顶板面的由电介质材料形成的窗部;和
经由所述窗部对所述处理室的内部提供微波电力的微波电力提供部,
所述等离子处理装置的特征在于,
所述窗部和所述处理室在其间夹着弹性体制的密封构件而连接,在用所述真空排气部将所述处理室的内部排气成真空的状态下,在夹着所述密封构件的所述窗部与所述处理室的间隔的部分中的从所述处理室的内壁面到所述密封构件的距离相对于所述间隔之比成为3以上的位置设置了所述密封构件。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
设置所述密封构件的夹着所述密封构件的所述窗部与所述处理室的所述间隔的部分中的从所述处理室的内壁面到所述密封构件的距离相对于所述间隔之比成为3以上的位置是如下那样的位置:在用所述真空排气部将所述处理室的内部排气成真空并从所述气体提供部对所述处理室的内部提供含三氟化氮(NF3)的气体来将所述处理室的内部的压力设定为10~20Pa,并从所述微波电力提供部对所述处理室的内部提供微波电力来使所述处理室的内部产生等离子的状态下,穿过所述窗部与所述处理室的所述间隔而到达所述密封构件的产生的所述等离子中的自由基给所述密封构件带来的损伤不成为所述密封构件的寿命的决定要因。
3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述弹性体制的所述密封构件由偏二氟乙烯系的氟橡胶形成。
4.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述弹性体制的所述密封构件为O环。
5.根据权利要求4所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述O环嵌入到形成所述处理室的槽部,所述间隔的部分中的从所述处理室的内壁面到所述密封构件的距离是从所述处理室的内壁面到嵌入到所述槽部的所述O环从所述槽部超出的部分为止的距离。
6.一种等离子处理装置,具备:
处理室;
将所述处理室的内部排气成真空的真空排气部;
对所述处理室的内部提供气体的气体提供部;
配置于所述处理室内的内部来载置处理对象的样品的样品台;
在所述样品台的上方构成所述处理室的顶板面的由电介质材料形成的窗部;和
经由所述窗部对所述处理室的内部提供微波电力的微波电力提供部,
所述等离子处理装置具备进行如下处理的功能:蚀刻处理,在从所述气体提供部对所述处理室的内部提供第1气体的同时对载置于所述样品台的样品使用等离子进行蚀刻;和清洗处理,在将经过所述蚀刻处理的所述样品从所述处理室排出的状态下,在从所述气体提供部对所述处理室的内部提供第2气体的同时使所述处理室的内部产生等离子,来通过所述蚀刻处理除去附着于所述处理室的内部的蚀刻生成物,
所述等离子处理装置的特征在于,
所述窗部和所述处理室在其间夹着弹性体制的密封构件而连接,在用所述真空排气部将所述处理室的内部排气成真空的状态下,在夹着所述密封构件的所述窗部与所述处理室的间隔的部分中的从所述处理室的内壁面到所述密封构件的距离相对于所述间隔之比成为3以上的位置、也就是在所述清洗处理中由所述处理室的内部产生的所述等离子给所述密封构件带来的损伤不会成为所述密封构件的寿命的决定要因的位置设置所述密封构件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





