[发明专利]等离子处理装置

说明书

在等离子处理装置中，通过不使真空容器的真空密封部分的结构为复杂的形状地使密封构件的劣化所导致的损伤减低，能不给密封构件的寿命带来影响地进行清洗，由此，等离子处理装置具备：处理室；将该处理室的内部排气成真空的真空排气部；对处理室的内部提供气体的气体提供部；配置于处理室内的内部来载置处理对象的样品的样品台；在该样品台的上方构成处理室的顶板面的窗部；和对处理室的内部提供高频电力的高频电力提供部，在该等离子处理装置中，窗部和处理室在其间夹着弹性体制的密封构件而连接，在用真空排气部将处理室的内部排气成真空的状态下，在夹着密封构件的窗部与处理室的间隔的部分中的从处理室的内壁面到密封构件的距离相对于所述间隔之比成为3以上的位置设置密封构件。

技术领域

本发明涉及等离子处理装置，涉及具备用于减低进行以氟为主体的等离子清洗处理时发生的零件损坏的结构的等离子处理装置。

背景技术

在制造半导体器件的工序中一般使用所谓等离子蚀刻处理，即，对于在配置于真空容器内部的处理室内的半导体晶片等基板状的样品的上表面预先形成的光刻胶等掩模层的下方的处理对象的膜层，使用在该处理室内形成的等离子来沿着掩模层进行蚀刻。在这样的等离子蚀刻处理中，将样品基板(晶片)载置于处理室内部的样品台上，使其暴露于等离子，由此选择性地除去晶片上的特定的层叠膜，在晶片上形成微细的电路图案。

通过进行这样的等离子蚀刻处理，伴随为了等离子生成而导入的气体、由于蚀刻处理而从样品基板的表面除去的层叠膜的反应生成物附着在处理室内部的壁面并蓄积。若反应生成物这样附着并积蓄于处理室内部的壁面并蓄积，处理室的内部产生的等离子的条件(例如处理室内部的等离子密度的分布)就会变化，从而等离子蚀刻而条件(例如蚀刻速率的样品基板面内的分布)发生变动，就会在依次进行的样品基板的表面的蚀刻处理中出现随时间变化(包含样品基板面内的加工形状的偏差的蚀刻所引起的加工形状的变化)。

因此，为了抑制伴随该反应生成物的蓄积引起的处理室内的状态变化的样品基板的加工形状的变化，通过等离子清洗来除去沉积在处理室的内部的反应生成物。

另一方面，已知设置于处理室内部的氟橡胶等真空密封构件(O环等，以下仅记作密封构件)会因在处理室内部生成的等离子而劣化，从而损伤。另外，伴随密封构件劣化而损伤，会出现微粒的产生、真空泄漏，因此有时不得不进行预定外的装置维护。

因此，为了抑制因等离子处理产生的密封构件劣化而损伤，例如在JP特开2006-5008号公报(专利文献1)中，作为减低向密封部的等离子或自由基种的侵入量的结构，记载了在比密封构件更内侧设置凹凸部以使等离子不会直接接触密封构件的结构。

另外，在JP特开2006-194303号公报(专利文献2)中，公开了如下结构：通过将在表面形成凹凸的迷宫密封设于比主密封即弹性体制密封构件更靠内侧，在该迷宫结构部分使等离子漫反射来使其衰减，由此防止弹性体制密封构件劣化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2006-5008号公报

专利文献2：JP特开2006-194303号公报

发明内容

发明要解决的课题

但在上述的现有技术中，由于设为在比密封构件更靠内侧设置凹凸部的结构，或设为将在表面形成凹凸的迷宫结构设于比密封构件更靠内侧的结构，真空容器的真空密封部分的结构变得复杂，有装置价格会相应变高、或装置的维护花费时间这样的问题。

因此，在本发明中，提供一种等离子处理装置，通过不使真空容器的真空密封部分的结构为复杂的形状地减低密封构件的劣化导致的损伤，能不给密封构件的寿命带来影响地进行清洗。

用于解决课题的手段