[发明专利]陶瓷加热器及陶瓷板有效
申请号: | 201880011252.0 | 申请日: | 2018-02-23 |
公开(公告)号: | CN110291623B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 朴明河;郑哲镐 | 申请(专利权)人: | 美科陶瓷科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/48;H01L21/324 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 全振永;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 加热器 | ||
本发明涉及一种陶瓷加热器及陶瓷加热器用陶瓷板,为了防止在电极部周围的陶瓷面发生裂纹、提高耐久性,使得电极棒的支撑部末端与相向的陶瓷面隔开,在电极棒的支撑部末端周边形成供填料结块安放的空间,去除因支撑部膨胀或填料结块而施加于陶瓷面的力或压力等。
技术领域
本发明涉及陶瓷加热器,特别是涉及一种防止因施加于陶瓷面的力或压力等而在电极部发生裂纹(crack)并提高耐久性的陶瓷加热器及陶瓷加热器用陶瓷板。
背景技术
陶瓷加热器用于在预定的加热温度下,对半导体晶片、玻璃基板、柔性基板等多样目的的热处理对象体进行热处理。为了半导体晶片处理,陶瓷加热器也可以与静电吸盘的功能结合使用。
图1是用于说明以往的陶瓷加热器的图。如果参照图1,以往的陶瓷加热器在陶瓷板10的中心部具有用于与外部的电极棒30结合的电极部。在陶瓷板10中,以环形态等埋设有发热体11,另外,埋设有与其中心部的电极部周围的预定发热体11电气连接的连接器12。在电极部,与电极棒30结合的支撑体20通过在开口部形成的螺纹而螺合,电极棒30的末端进行硬焊(brazing)接合,与连接器12电气连接。
在这种以往的陶瓷加热器中,电极部的螺纹形成至开口部的底面,支撑体20通过该螺纹而结合,由此,支撑体20的末端与开口部的陶瓷面接触或接近。
因此,在加热器长时间使用或进行硬焊(brazing)时,支撑体20发生膨胀和变形,向陶瓷面施加力或压力,从而存在如图1所示在周围陶瓷诱发裂纹的问题。
另外,在电极棒30的末端与连接器12间进行钎焊(brazing)时,导电性填料(filler)熔化后固化时产生的填料结块需在周围空间安放,但在支撑体20的端部周边没有空间或空间狭小,填料结块对周围陶瓷面施加力或压力,从而存在如图1所示在周围陶瓷诱发裂纹的问题。
作为相关现有文献,可以参照公开专利号第10-2008-0046797号(2008年05月28日)等。
发明内容
技术问题
因此,本发明正是为了解决所述问题而研发的,本发明目的在于提供一种陶瓷加热器及陶瓷加热器用陶瓷板,为了防止在电极部的开口部周围的陶瓷面发生裂纹、提高耐久性,使得电极棒的支撑部末端与相向的陶瓷面隔开,在电极棒的支撑部末端周边形成供填料结块安放的空间,去除因支撑部膨胀或填料结块而施加于陶瓷面的力或压力等。
技术手段
首先,如果概括本发明的特征,旨在达成所述目的的本发明一个方面的陶瓷加热器的特征在于,包括:陶瓷板,其包括埋设的发热体、在开口部的内周面一部分形成的螺纹及以与所述发热体电气连接并局部地露出于所述开口部底面的方式埋设的连接器;及支架环(eyelet),其与电极棒结合通过所述螺纹而紧固;在所述开口部内周面的所述底面侧末端,形成有向内侧凹进的凹陷部。通过所述螺纹而以使所述支架环的端部从所述开口部的底面隔开预定距离的方式进行紧固。
而且,本发明另一方面的陶瓷板包括:螺纹,其在开口部的内周面一部分形成,用于紧固与电极棒结合的支架环;连接器,其以与埋设的发热体电气连接并局部地露出于所述开口部的底面的方式埋设;及凹陷部,其在所述底面侧末端向内侧凹进。
所述凹陷部用于容纳在所述支架环紧固后,当所述电极棒的端部面与所述连接器间硬焊接合时发生的填料结块。因此,可以去除所述填料结块施加于周围的陶瓷面的压力。
可以通过所述螺纹而以使所述支架环的端部从所述开口部的底面隔开预定距离的方式进行紧固。因此,可以去除所述支架环的端部因热膨胀或变形而施加于周围陶瓷面的压力。
相对于所述开口部的整体深度,从所述开口部的入口至所述螺纹所形成部分的端部的深度可以为10%至90%。
可以使得通过所述螺纹而紧固的所述支架环的端部从所述开口部的底面隔开1mm至5mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造