[发明专利]直接转换化合物半导体切片结构

说明书

根据实施例，设备包括直接转换化合物半导体层，被构造为将诸如x射线或伽马射线光子之类的高能辐射转换为电流；集成电路(IC)层，紧邻直接转换化合物半导体层(例如位于其正下方)，被构造为接收电流并处理电流；以及基板层，紧邻IC层(例如位于其正下方)，被构造为传导从IC层发射出的热量；其中基板层包括位于基板的截面的角部处的凹形部；以及其中基板层进一步包括位于角部之间的滑动电接触，其中滑动电接触经由基板层而与IC层连接以接收处理后的电流。其他实施例涉及包括根据设备的切片的阵列的检测器，以及包括x射线源和检测器的成像系统。

背景技术

在辐射成像中，采用基于直接转换化合物半导体的检测器和检测器阵列，以便将高能辐射，例如x射线光子，直接转换为电荷。它们通常由在电荷收集体(chargecollector)顶部直接生长的x射线光电导体层和读出层(如室温半导体)组成。这些检测器通常以由多个切片(tile)构成的阵列的形式使用，以便可以生成具有更高分辨率的更大图像尺寸。使用由每个具有相对小尺寸的切片构成的阵列的另一个原因是，直接转换化合物半导体的成本较高。

检测器的性能可能对于许多成像应用都是很重要的。线性、均匀性、稳定性和一致性都可与外围切片有关。对于许多应用，成像要求可能非常严格。具有直接转换化合物半导体层、集成电路(IC)层和基板层的切片的垂直堆叠可能会产生一些问题情况。例如，由IC产生的热量可能耦合到检测器上，并引入不期望的噪声和热变化。此外，切片的阵列要求相对于切片的准确和精确的定位。切片应该被仔细地定位到阵列中的正确位置，特别是相对于相邻的切片而言。此外，还需要维护由阵列构成的检测器，例如以防发生故障。

公开文本US2005/139757A1和US 2007/111567A1公开了可以被认为对理解背景技术有用的信息。

发明内容

本发明内容用于以简化的形式介绍选择出的一些概念，这些概念将在下面的详细描述中进一步描述。本发明内容不意图确定所要求保护主题的关键特征或必要特征，也不意图用于限制所要求保护主题的范围。

本发明的目的是提供直接转换化合物半导体切片结构。该目的是通过独立权利要求的特征实现的。一些实施例在从属权利要求中进行了描述。根据实施例，一种设备包括：直接转换化合物半导体层，被构造为将诸如x射线或伽马射线光子之类的高能辐射转换为电流；集成电路(IC)层，紧邻直接转换化合物半导体层(例如位于其正下方)，被构造为接收电流并处理电流；以及基板层，紧邻IC层(例如位于其正下方)，被构造为传导从IC层发射出的热量；其中基板层包括位于基板的截面的角部处的凹形部；以及其中基板层进一步包括位于角部之间的滑动电接触，其中滑动电接触经由基板层而与IC层连接以接收处理后的电流。

其他实施例涉及包括根据所述设备的切片的阵列的检测器，以及包括x射线源和检测器的成像系统。

参考以下具体实施方式并结合附图，许多所附特征将变得更加容易理解。

附图说明

本说明将根据附图从以下具体实施方式中更好地理解，其中：

将参照附图并根据以下具体实施方式而更好地理解本说明，其中：

图1示出根据实施例的显示了直接转换化合物半导体层、集成电路层、和具有肩部和滑动接触的基板层的切片的侧视截面示意图；

图2示出根据实施例的切片的示意图；

图3示出根据实施例的装配型架上的切片的阵列的一部分的示意图；

图4示出根据实施例的装配型架上的切片的阵列的示意图；

图5示出根据实施例的示出装配型架的检测器装配过程的侧视截面示意图；

图6示出根据实施例的示出在装配型架上的切片的检测器装配过程的侧视截面示意图；