[发明专利]直接转换化合物半导体切片结构

权利要求书

1.一种基于直接转换化合物半导体的设备，包括：

直接转换化合物半导体层（101），被构造为将x射线或伽马射线光子转换成电流；

集成电路（IC）层（102），设置为相对于z轴紧邻所述直接转换化合物半导体层，并且被构造为接收所述电流并处理所述电流；以及

基板层（103），设置为相对于所述z轴紧邻所述集成电路层，并且被构造为传导从所述集成电路层发射出的热量；其中所述基板层包括位于所述基板层的截面的下方角部处的凹陷部（104）；以及其中所述基板层进一步包括位于所述下方角部之间的滑动电接触（117），所述滑动电接触经由所述基板层而连接至所述集成电路层，以接收处理后的电流；

所述设备还包括装配型架（105），其中所述装配型架包括附加的凹陷部（106），每个附加的凹陷部被构造为接收处于与所述附加的凹陷部相同的水平面的所述基板层的最下部分，并且位于所述附加的凹陷部上方的所述基板层的上部安置于所述装配型架的表面上。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述凹陷部被配置到所述基板层的所述截面的最下角部。

3.如权利要求1或2所述的设备，其中所述凹陷部被构造为对于具有所述直接转换化合物半导体层、所述集成电路层和所述基板层的所述设备的截面而言形成T形。

4.如权利要求1或2所述的设备，其中与所述凹陷部紧邻的所述基板层的材料包括导热材料。

5.如权利要求1所述的设备，其中所述装配型架还包括位于所述附加的凹陷部的底部处的弹性力加载的电连接（107），

其中所述弹性力加载的电连接被构造为当所述基板层的所述最下部分进入所述装配型架的所述附加的凹陷部并且所述基板层的所述上部安置于所述装配型架的所述表面上时，与所述滑动电接触进行接触。

6.如权利要求5所述的设备，其中当所述设备沿x轴和y轴方向滑动时，能够保持所述基板层的所述滑动电接触与所述弹性力加载的电连接之间的所述接触。

7.如权利要求1或2所述的设备，其中所述装配型架还包括在所述装配型架的顶部表面上与所述附加的凹陷部紧邻的细长粘附带（115）。

8.如权利要求7所述的设备，其中安置于所述粘附带上的所述基板层的所述凹陷部（104）的表面粘附到所述粘附带。

9.如权利要求7所述的设备，其中所述粘附带的粘附力低，使得可在不损坏任意层和所述装配型架的情况下拆除所述基板层。

10.如权利要求1或2所述的设备，其中所述直接转换化合物半导体层包括碲化镉或碲化镉锌。

11.如权利要求1或2所述的设备，其中所述设备包括切片。

12.如权利要求11所述的设备，其中所述切片能够滑动以相对于至少一个相邻的切片定位所述切片。

13.一种检测器，包括根据权利要求11或12所述的设备的所述切片的阵列。

14.一种成像系统，包括：

高能辐射源；

根据权利要求13所述的检测器。