[发明专利]半导体装置制造用粘着片以及使用其的半导体装置的制造方法在审
| 申请号: | 201880008375.9 | 申请日: | 2018-02-01 |
| 公开(公告)号: | CN110214168A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
| 发明(设计)人: | 近藤恭史;市川贵胜;岩崎昌司;付文峰;松永佑规 | 申请(专利权)人: | 株式会社巴川制纸所 |
| 主分类号: | C09J7/30 | 分类号: | C09J7/30;C09J7/25;C09J11/06;C09J109/02;C09J163/00;H01L21/56;H01L23/50 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 纪秀凤 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体装置 粘着片 制造 粘着剂层 基材 环氧树脂 丁二烯共聚物 反应性硅氧烷 马来酰亚胺基 布线基板 热固化型 引线框架 丙烯腈 可剥离 贴附 羧基 | ||
本发明涉及半导体装置制造用粘着片,该半导体装置制造用粘着片具备基材以及设置于该基材的一个表面的热固化型的粘着剂层,并以可剥离的方式贴附于半导体装置的引线框架或布线基板,在该半导体装置制造用粘着片中,所述粘着剂层含有含羧基的丙烯腈‑丁二烯共聚物(a)、具有下面的结构式(1)的环氧树脂(b)、含有2个以上马来酰亚胺基的化合物(c)、以及反应性硅氧烷化合物(d)。另外,本发明提供使用其的半导体装置的制造方法:
技术领域
本发明涉及通过QFN(Quad Flat Non-lead,四方扁平无引脚)方式组装半导体装置时适合作为掩膜胶带使用的粘着片以及使用其的半导体装置的制造方法。
本申请基于并要求于2017年2月2日在日本提交的日本专利申请第2017-017490号的优先权的权益,其内容结合于此作为参照。
背景技术
近年来,相对于以移动电话为首的IT设备的小型化、薄型化和多功能化的需求,对半导体装置(半导体封装)中的进一步高密度安装技术的需求日益增加。
QFN方式作为满足该需求的CSP(Chip Size Package,芯片尺寸封装)技术引起了关注(参照专利文献1以及专利文献2),特别是在100引脚以下的少引脚类型中被广泛采用。
在此,作为使用QFN方式的一般的QFN封装的组装方法,大概已知如下的方法。首先,在贴附工序中,在引线框架的一个表面贴附粘着片,接着,在芯片粘接工序中,在形成于引线框架的多个半导体元件搭载部(芯片焊盘部)分别搭载IC芯片等半导体元件。其次,在引线键合工序中,利用键合引线将沿着引线框架的各半导体元件搭载部的外周配设的多个引线和半导体元件电连接。接下来,在密封工序中,利用密封树脂将搭载于引线框架的半导体元件密封。
之后,在剥离工序中,通过将粘着片从引线框架剥离,能够形成排列有多个QFN封装的QFN单元。最后,在切割工序中,通过沿着各QFN封装的外周切割该QFN单元,能够制造多个QFN封装。
对于用于这种用途的粘着片,要求如下:直到剥离工序之前充分并稳定地贴附而不会从引线框架的背面以及密封树脂的背面剥离,并且,在剥离工序中能够容易地剥离,不存在粘着剂残留于引线框架的背面和/或密封树脂的背面的残胶和/或粘着片的断裂等不良情况。
特别是近年来,为了降低半导体装置的成本,使用了由铜合金组成的引线框架。这种由铜合金组成的引线框架还具有过渡金属铜对于高分子材料的氧化劣化的催化剂作用,由于覆胶膜(taping)工序后的QFN封装组装伴随的热履历,粘着剂容易被氧化劣化,在片剥离时容易发生重剥离以及残胶。
然而,现有使用的粘着片没有充分满足能够用于由铜合金构成的引线框架的实用水平。
例如,在现有的粘着片中,有含有丙烯腈-丁二烯共聚物和双马来酰亚胺树脂的粘着剂层层叠于由耐热性膜构成的基材的形态的粘着片(参照专利文献3),但在使用其的情况下,具有以下问题:由于在覆胶膜工序后的芯片粘接固化处理、引线键合工序、树脂密封工序中施加的热,丙烯腈-丁二烯共聚物容易劣化,导致在剥离工序中难以剥离,或粘着片断裂,或发生残胶。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2003-165961号公报
专利文献2:日本特开2005-142401号公报
专利文献3:日本特开2008-095014号公报。
发明内容
发明要解决的课题
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