[发明专利]用于确定至少一个电子开关元件的温度的方法和电子组件

权利要求书

1.一种用于借助温度测量电路确定至少一个电子开关元件的温度的方法，所述温度测量电路包括至少一个具有第一电子开关元件(14)和第二电子开关元件(16)的电子模块(12)，所述第一电子开关元件(14)和第二电子开关元件(16)构造成，使得第一电子开关元件和第二电子开关元件在第一开关状态中阻断一个方向上的电流，所述方法包括下述步骤：

a)阻断第一电子开关元件(14)并且导通第二电子开关元件(16)，

b)将电压测量单元(20)与电子模块(12)耦联，

c)测量第二电子开关元件(16)上的电压降，

d)确定流过第二电子开关元件(16)的电流的电流强度，并且

e)通过考虑测量的电压降和确定的电流强度确定第二电子开关元件(16)的温度，

设置电子开关单元(18)，该电子开关单元构造成，使得电子开关单元在第一开关状态中阻断一个方向上的电流，其中，导通该电子开关单元(18)，以便连接电压测量单元(20)与电子模块(12)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电子开关元件(14)和第二电子开关元件(16)中的至少一个和/或所述电子开关单元(18)由控制和评估单元(28)来控制。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤d)之后，在阻断第二电子开关元件(16)并且导通第一电子开关元件(14)之前，分离电压测量单元(20)与电子模块。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，由测量的电压降和确定的电流强度确定第二电子开关元件(16)的电阻值。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电阻值用于确定第二电子开关元件(16)的温度。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，基于函数关系确定温度或从值表获取温度。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，至少所述电子开关单元(18)具有场效应晶体管。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述场效应晶体管是MOSFET。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述场效应晶体管是SiC MOSFET。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，通过测量流过负载的电流来确定流过第二电子开关元件(16)的电流的电流强度。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，通过测量流过扼流圈(24)的电流来确定流过第二电子开关元件(16)的电流的电流强度。

12.一种用于确定至少一个电子开关元件的温度的电子组件(10)，所述电子组件包括至少一个具有第一电子开关元件(14)和第二电子开关元件(16)的电子模块(12)，设置电子开关单元(18)，所述电子开关单元在第一开关状态中阻断并且在第二开关状态中导通，其中，所述电子开关单元在第二开关状态中将电压测量单元(20)与电子模块(12)如此连接，使得电压测量单元(20)测量第二电子开关元件(16)上的电压，设置电流测量单元(22)，所述电流测量单元构造用于测量流过第二电子开关元件(16)的电流的电流强度，并且设置控制和评估单元(28)，所述控制和评估单元构造用于处理测量的电压以及测量的电流强度，以便确定第二电子开关元件(16)的温度。

13.根据权利要求12所述的电子组件(10)，其特征在于，所述电子开关单元(18)通过电线(18L)与电子模块(12)耦联，该电线(18L)在第一电子开关元件(14)和第二电子开关元件(16)之间从电子模块(12)分支出。