[发明专利]电子设备用树脂膜及电子设备有效
| 申请号： | 201880005288.8 | 申请日： | 2018-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN110099952B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 井上弘康 | 申请（专利权）人： | 日本瑞翁株式会社 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L53/02;C08L101/00;H01L51/50;H05B33/04 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 赵曦;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 备用 树脂 电子设备 | ||
1.一种电子设备用树脂膜，其包含：
包含聚合物的树脂、
分散于所述树脂中的一次粒径为200nm以下的具有吸湿性的粒子、以及
分散剂，
所述分散剂的量相对于100重量份的所述粒子为7重量份以上且50重量份以下，
所述树脂的折射率与所述粒子的折射率的差的绝对值为0.05以下。
2.根据权利要求1所述的电子设备用树脂膜，其中，所述树脂为热塑性树脂。
3.根据权利要求2所述的电子设备用树脂膜，其中，所述热塑性树脂为热塑性弹性体。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子设备用树脂膜，其中，所述聚合物为选自芳香族乙烯基化合物-共轭二烯共聚物、以及氢化了的芳香族乙烯基化合物-共轭二烯共聚物中的一种以上。
5.根据权利要求4所述的电子设备用树脂膜，其中，所述芳香族乙烯基化合物-共轭二烯共聚物为芳香族乙烯基化合物-共轭二烯嵌段共聚物。
6.根据权利要求5所述的电子设备用树脂膜，其中，所述芳香族乙烯基化合物-共轭二烯嵌段共聚物为选自苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯嵌段共聚物和苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物中的一种以上。
7.根据权利要求4所述的电子设备用树脂膜，其中，所述氢化了的芳香族乙烯基化合物-共轭二烯共聚物为氢化了的芳香族乙烯基化合物-共轭二烯嵌段共聚物。
8.根据权利要求7所述的电子设备用树脂膜，其中，所述氢化了的芳香族乙烯基化合物-共轭二烯嵌段共聚物为选自氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、氢化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、氢化苯乙烯-异戊二烯嵌段共聚物和氢化苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物中的一种以上。
9.根据权利要求7或8所述的电子设备用树脂膜，其中，所述氢化了的芳香族乙烯基化合物-共轭二烯嵌段共聚物为将共轭二烯的不饱和键和芳环两者进行氢化了的、氢化芳香族乙烯基化合物-共轭二烯嵌段共聚物。
10.根据权利要求1～3中任一项所述的电子设备用树脂膜，其中，所述树脂包含具有极性基的聚合物作为所述聚合物。
11.根据权利要求10所述的电子设备用树脂膜，其中，所述具有极性基的聚合物为包含含极性基单元的接枝聚合物。
12.根据权利要求1～3中任一项所述的电子设备用树脂膜，其中，25℃的储能模量为107Pa以上且109Pa以下。
13.根据权利要求1～3中任一项所述的电子设备用树脂膜，其中，厚度为0.1μm以上且1000μm以下。
14.根据权利要求1～3中任一项所述的电子设备用树脂膜，其中，内部雾度为6.0％以下。
15.根据权利要求1～3中任一项所述的电子设备用树脂膜，其中，所述分散剂的酸值或碱值为20mgKOH/g以上且200mgKOH/g以下。
16.一种电子设备，具有权利要求1～15中任一项所述的电子设备用树脂膜。
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