[发明专利]用于沉积蒸发材料的蒸发源、真空沉积系统和用于沉积蒸发材料的方法

权利要求书

1.一种用于在基板(10)上沉积蒸发材料的蒸发源(100)，所述蒸发源(100)包括具有多个喷嘴(115)的分配管(110)，

所述多个喷嘴中的至少一个喷嘴(120)包括第一喷嘴区段(121)和第二喷嘴区段(122)，所述第一喷嘴区段(121)被配置为朝向所述基板(10)释放蒸发材料的羽流(200)，所述第二喷嘴区段(122)被配置为用侧壁(125)对所述蒸发材料的羽流塑形，以提供相对于中心喷嘴轴线(A)的非圆形的羽流轮廓。

2.如权利要求1所述的蒸发源，其中所述第一喷嘴区段(121)和所述第二喷嘴区段(122)热接触或整体地提供作为单件部件。

3.如权利要求1或2所述的蒸发源，其中所述侧壁(125)为所述羽流提供通道，所述通道具有在远离所述第一喷嘴区段(121)的方向上扩展的尺寸。

4.如权利要求3所述的蒸发源，其中所述通道的所述尺寸从第一尺寸(D1)连续地扩展到第二尺寸(D2)，所述第一尺寸(D1)特别是约5mm或更小，所述第二尺寸(D2)特别是约10mm或更大。

5.如权利要求3或4所述的蒸发源，其中所述通道的进行扩展的所述尺寸是竖直尺寸，特别是其中所述侧壁(125)具有上部侧壁区段(126)和下部侧壁区段(127)，所述上部侧壁区段(126)和所述下部侧壁区段(127)相对于所述中心喷嘴轴线倾斜，并在所述上部侧壁区段(126)和所述下部侧壁区段(127)之间围出40°或更大且90°或更小的张角(2Φ)。

6.如权利要求1至5中任一项所述的蒸发源，其中所述侧壁(125)被配置为限制所述羽流(200)的竖直扩张。

7.如权利要求1至6中任一项所述的蒸发源，其中所述侧壁允许所述羽流(200)的基本上不受限的水平扩张。

8.如权利要求1至7中任一项所述的蒸发源，进一步包括屏蔽装置(300)，所述屏蔽装置(300)与所述至少一个喷嘴(120)分开，并且被配置为在所述第二喷嘴区段(122)的下游对所述羽流(200)塑形，特别是其中所述屏蔽装置(300)被配置为限制所述羽流的在第二方向上的扩张。

9.如权利要求8所述的蒸发源，其中所述屏蔽装置(300)与所述至少一个喷嘴(120)间隔开地布置和/或热隔离地布置。

10.如权利要求8或9所述的蒸发源，进一步包括冷却装置(305)，所述冷却装置(305)用于冷却所述屏蔽装置(300)。

11.如权利要求8至10中任一项所述的蒸发源，其中所述屏蔽装置(300)包括两个相对的屏蔽壁(301)，所述两个相对的屏蔽壁(301)在所述分配管(110)的前侧上延伸，并且被配置为限制从所述多个喷嘴(115)喷出的多个羽流的扩张、特别是水平扩张。

12.如权利要求1至11中任一项所述的蒸发源，其中所述第一喷嘴区段(121)为所述蒸发材料提供管状通路，特别是具有的直径为从2mm至15mm的基本上柱形的通路，和/或其中所述第二喷嘴区段(122)提供限制所述羽流的一个尺寸的通道。

13.如权利要求1至12中任一项所述的蒸发源，包括两个或更多个分配管，所述两个或更多个分配管彼此相邻布置并在基本上竖直的方向上延伸，所述两个或更多个分配管中的每个分配管分别包括与所述至少一个喷嘴(120)具有相同配置的多个喷嘴。