[发明专利]内部构件、流化床型反应装置以及三氯硅烷的制造方法在审
申请号: | 201880002605.0 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN109414670A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 阪上恭之;间岛卓也;山下义晶 | 申请(专利权)人: | 株式会社德山 |
主分类号: | B01J8/34 | 分类号: | B01J8/34;C01B33/107 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人: | 黄泽雄 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内部构件 反应装置 流化床型 三氯硅烷 阻力体 上表面 锥状 制造 | ||
1.一种内部构件,其特征在于,
是用于设置在流化床型反应装置内的内部构件,
上述内部构件具备阻力体,该阻力体具有上表面呈锥状的形状。
2.根据权利要求1所述的内部构件,其特征在于,
上述阻力体形成有贯通下表面和上述上表面的孔。
3.根据权利要求1或者2所述的内部构件,其特征在于,
在上述阻力体中,上述上表面的锥状侧壁的倾斜角θ相对于垂直线是45°以下。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的内部构件,其特征在于,
上述阻力体的水平方向的外径X1和上述流化床型反应装置的水平方向的内径Y1满足0.05≤X1/Y1≤0.25。
5.根据权利要求1~4的任一项所述的内部构件,其特征在于,
上述阻力体的高度X2与上述阻力体的水平方向的外径X1之比满足0.5≤X2/X1≤5。
6.一种流化床型反应装置,其特征在于,
在流动层形成区域设置权利要求1~5的任一项所述的内部构件。
7.根据权利要求6所述的流化床型反应装置,其特征在于,
上述内部构件具备在水平方向的同一横截面上包括多个上述阻力体的阻力体组,
在上述阻力体组中,上述阻力体相对于上述流化床型反应装置的水平方向的横截面积的占有面积是每个上述阻力体0.1%~10%。
8.根据权利要求6或者7所述的流化床型反应装置,其特征在于,
上述内部构件具备在水平方向的同一横截面上包括多个上述阻力体的阻力体组,
在上述阻力体组中,上述阻力体相对于上述流化床型反应装置的水平方向的横截面积的占有面积的和是0.2%~30%。
9.根据权利要求7或者8所述的流化床型反应装置,其特征在于,
上述内部构件具备多个上述阻力体组。
10.根据权利要求6~9的任一项所述的流化床型反应装置,其特征在于,
上述内部构件在相对于上述流动层形成区域的高度5%~80%的范围内具备上述阻力体。
11.一种三氯硅烷的制造方法,其特征在于,
对权利要求6~10的任一项所述的流化床型反应装置供给金属硅粉末、气态四氯硅烷、以及氢气,并通过上述气态四氯硅烷以及氢气使金属硅粉末流动来进行四氯硅烷的还原反应。
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