[发明专利]移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路以及显示装置

说明书

一种移位寄存器包括：消隐输入电路(120)、N个移位寄存电路(130_1……130_N)和补偿选择电路(110)。所述消隐输入电路(120)被配置为存储消隐输入信号(OUT_1)，以及基于所述消隐输入信号(OUT_1)和消隐控制信号(CLA)将消隐下拉信号(V2)提供给N个下拉节点(Q(1)……Q(N))。所述N个移位寄存电路(130_1……130_N)分别经由所述N个下拉节点(Q(1)……Q(N))连接到所述消隐输入电路(120)，并被配置为在消隐期间基于所述消隐下拉信号(V2)和相应的时钟信号输出各自的消隐输出信号(OUT_1……OUT_N)。所述补偿选择电路(110)被配置为在补偿选择控制信号(OE)的控制下向所述消隐输入电路(120)提供所述消隐输入信号(OUT_1)。其中，N为大于1的自然数。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体地，涉及移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路、阵列基板以及显示装置。

背景技术

阵列基板行驱动(Gate Driver on Array，简称GOA)技术将栅极驱动电路制作在阵列基板上，实现对像素电路逐行扫描的功能。栅极驱动电路可包括多个级联的移位寄存器。从移位寄存器的输出端输出扫描信号以驱动像素电路并同时输出级联信号以驱动下一级移位寄存器。

在显示领域特别是有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示装置中，栅极驱动电路目前都集成在GATE IC中。在IC设计中，芯片的面积是影响芯片成本的主要因素。

发明内容

本文中描述的实施例提供了一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路以及显示装置。

根据本公开的第一方面，提供了一种移位寄存器。该移位寄存器包括：消隐输入电路、N个移位寄存电路和补偿选择电路。所述消隐输入电路被配置为存储消隐输入信号，以及基于所述消隐输入信号和消隐控制信号将消隐下拉信号经由N个下拉节点提供给所述N个移位寄存电路。所述N个移位寄存电路耦接到所述消隐输入电路，并被配置为在消隐期间基于所述消隐下拉信号和相应的时钟信号输出各自的消隐输出信号。所述补偿选择电路被配置为在补偿选择控制信号的控制下向所述消隐输入电路提供所述消隐输入信号。在这里，N为大于1的自然数。

在本公开的一些实施例中，所述N个移位寄存电路进一步被配置为在显示期间基于显示输入信号和相应的时钟信号输出各自的显示输出信号。所述显示输出信号中的一个显示输出信号被提供给所述补偿选择电路作为所述消隐输入信号。

在本公开的一些实施例中，所述消隐输入电路包括存储子电路和隔离子电路。所述存储子电路被配置为存储所述消隐输入信号。所述隔离子电路被配置为基于所述消隐输入信号和所述消隐控制信号将所述消隐下拉信号提供给所述N个下拉节点。

在本公开的一些实施例中，所述隔离子电路包括第一晶体管和N个第二晶体管。所述第一晶体管的控制极耦接所述存储子电路。所述第一晶体管的第一极耦接消隐下拉信号端。所述第一晶体管的第二极耦接所述N个第二晶体管的第一极。所述N个第二晶体管的控制极耦接消隐控制端。所述N个第二晶体管的第二极耦接相应的下拉节点。

在本公开的一些实施例中，所述隔离子电路包括第三晶体管、第四晶体管和N个第五晶体管。所述第三晶体管的控制极耦接所述存储子电路。所述第三晶体管的第一极耦接所述消隐控制端。所述第三晶体管的第二极耦接所述第四晶体管的第二极和所述N个第五晶体管的控制极。所述第四晶体管的控制极耦接第二消隐控制端。所述第四晶体管的第一极耦接第一电压端。所述N个第五晶体管的第一极耦接消隐下拉信号端。所述N个第五晶体管的第二极耦接相应的下拉节点。