[发明专利]移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路以及显示装置有效

专利信息
申请号: 201880002510.9 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN111788624B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 冯雪欢;李永谦 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208;G11C19/28
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘薇;牛南辉
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 移位寄存器 及其 驱动 方法 栅极 电路 以及 显示装置
【权利要求书】:

1.一种移位寄存器,包括:消隐输入电路、N个移位寄存电路和补偿选择电路,

其中,所述消隐输入电路被配置为存储消隐输入信号,以及基于所述消隐输入信号和消隐控制信号将消隐下拉信号经由N个下拉节点提供给所述N个移位寄存电路;

所述N个移位寄存电路耦接到所述消隐输入电路,并被配置为在消隐期间基于所述消隐下拉信号和相应的时钟信号输出各自的消隐输出信号;

所述补偿选择电路被配置为在补偿选择控制信号的控制下向所述消隐输入电路提供所述消隐输入信号;

其中,N为大于1的自然数;以及

其中,所述N个移位寄存电路进一步被配置为在显示期间,基于显示输入信号和相应的时钟信号输出各自的显示输出信号,其中,所述显示输出信号中的一个显示输出信号被提供给所述补偿选择电路作为所述消隐输入信号。

2.根据权利要求1所述的移位寄存器,其中,所述消隐输入电路包括存储子电路和隔离子电路,

其中,所述存储子电路被配置为存储所述消隐输入信号;

其中,所述隔离子电路被配置为基于所述消隐输入信号和所述消隐控制信号将所述消隐下拉信号提供给所述N个下拉节点。

3.根据权利要求2所述的移位寄存器,其中,所述隔离子电路包括第一晶体管和N个第二晶体管,

其中,所述第一晶体管的控制极耦接所述存储子电路,所述第一晶体管的第一极耦接消隐下拉信号端,所述第一晶体管的第二极耦接所述N个第二晶体管的第一极;

其中,所述N个第二晶体管的控制极耦接消隐控制端,所述N个第二晶体管的第二极耦接相应的下拉节点。

4.根据权利要求2所述的移位寄存器,其中,所述隔离子电路包括第三晶体管、第四晶体管和N个第五晶体管,

其中,所述第三晶体管的控制极耦接所述存储子电路,所述第三晶体管的第一极耦接消隐控制端,所述第三晶体管的第二极耦接所述第四晶体管的第二极和所述N个第五晶体管的控制极;

其中,所述第四晶体管的控制极耦接第二消隐控制端,所述第四晶体管的第一极耦接第一电压端;

其中,所述N个第五晶体管的第一极耦接消隐下拉信号端,所述N个第五晶体管的第二极耦接相应的下拉节点。

5.根据权利要求2所述的移位寄存器,其中,所述隔离子电路包括第六晶体管、两个第七晶体管和N个第八晶体管,

其中,所述第六晶体管的控制极耦接所述存储子电路,所述第六晶体管的第一极耦接消隐控制端,所述第六晶体管的第二极耦接所述两个第七晶体管的第二极和所述N个第八晶体管的控制极;

其中,所述两个第七晶体管的控制极分别耦接第三消隐控制端和第四消隐控制端,所述两个第七晶体管的第一极耦接第一电压端;

其中,所述N个第八晶体管的第一极耦接消隐下拉信号端,所述N个第八晶体管的第二极耦接相应的下拉节点。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的移位寄存器,其中,所述存储子电路包括第一电容器,其中,所述第一电容器的第一端耦接所述补偿选择电路和所述隔离子电路,所述第一电容器的第二端耦接第一电压端。

7.根据权利要求1所述的移位寄存器,其中,所述补偿选择电路包括第九晶体管,

其中,所述第九晶体管的控制极耦接补偿选择控制端,所述第九晶体管的第一极耦接消隐输入信号端,所述第九晶体管的第二极耦接隔离子电路。

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