[发明专利]铜厚膜用蚀刻液

说明书

提供：蚀刻速率高、在高铜离子浓度下也能进行蚀刻使得铜的膜厚变厚以可以维持以往那样的制造速度的铜厚膜用蚀刻液。包含过氧化氢、强酸性物质、胺化合物、过氧化氢分解抑制剂、唑类和水、且pH低于2的铜厚膜用蚀刻液在铜离子浓度为20000ppm的高铜离子浓度下也可以以380nm/分钟以上的蚀刻速率对铜膜进行蚀刻，进一步锥角也可以调整为30°～80°。

技术领域

本发明涉及对液晶、有机EL等的平板显示器的布线用中使用的铜进行蚀刻时使用的、铜厚膜用蚀刻液。

背景技术

液晶、有机EL(电致发光元件(Electro-Luminescence))等的平板显示器(FPD)的TFT(薄膜晶体管(Thin Film Transistor))使用铝作为布线材料。近年，大画面且高清晰度的FPD普及，对于所使用的布线材料要求电阻比铝低。因此，近年来逐渐使用电阻比铝低的铜作为布线材料。

对于FPD的布线，通过将利用溅射法形成的铜膜进行湿式蚀刻来形成。这是因为，由于可以一次性地形成大面积、能够实现工序的缩短化。在此，布线的湿式蚀刻中，重要在于以下几点。

(1)加工精度高、一样。

(2)加工后的布线截面为规定角度的正锥形。

(3)通过含有铜离子而蚀刻速率不会变化(浴镀寿命长)。

作为满足这种要求的蚀刻液，公开了专利文献1。

在此，公开了一种含有钼和铜的多层膜用蚀刻液，其特征在于，其包含：

过氧化氢、

酸性有机酸、

胺化合物、

过氧化氢分解抑制剂、

唑类、和

含有铝盐的析出防止剂。

该蚀刻液在铜(Cu)和钼(Mo)的蚀刻速率、所蚀刻的边界区域的锥角、钼(Mo)的侧蚀、钼(Mo)的残渣、对于过蚀刻的耐性、析出物、过氧化氢分解速度等评价中，具有满足当前的制造中使用的水平的性能。

另外，出于同样的目的，专利文献2中公开了一种包含铜层和钼层的多层薄膜用蚀刻液，其包含：(A)过氧化氢；(B)不含有氟原子的无机酸；(C)选自琥珀酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸和苹果酸中的至少一种的有机酸；(D)碳数2～10、且具有氨基和羟基使得其总计基团数成为二个以上的胺化合物；(E)5-氨基-1H-四唑；和，(F)过氧化氢稳定剂，pH为2.5～5。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-209568号公报

专利文献2：日本专利5051323号公报

发明内容

发明要解决的问题

目前提倡4K、8K之类的高分辨率的标准。这些标准在小的画面中无法发挥其能力。因此，开发了画面比以往进一步大的显示器(大画面FPD)。大画面FPD中，用于驱动像素的布线的距离变长，因此要求更低电阻的布线。铜布线中为了减少电阻，考虑增加布线的截面积。然而，如果扩大布线的宽度、增大1个像素的面积，则无法满足高精细度之类的要求。

另一方面，为了降低布线材料的电阻，也考虑了使用银、金之类电阻率低于铜的材料，但成本过度变高，从普及的观点出发不理想。结果，必须通过增加铜布线的厚度方向而增大截面积、或减少电阻值。

为了形成加厚了铜的厚度的布线，必须解决如下的技术课题。

(1)为了维持以往同样的制造速率，加快蚀刻速度。