[发明专利]铜厚膜用蚀刻液

权利要求书

1.一种铜厚膜用蚀刻液，其包含：

过氧化氢、

强酸性物质、

胺化合物、

过氧化氢分解抑制剂、

唑类、和

水，

且pH低于2。

2.根据权利要求1所述的铜厚膜用蚀刻液，其中，进一步含有弱酸性的有机酸。

3.根据权利要求1或2所述的铜厚膜用蚀刻液，其中，所述唑类为选自5-氨基-1H-四唑、5-甲基-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、5-甲基-1H-苯并三唑、苯并三唑中的1种或多种。

4.根据权利要求1至3中的任一权利要求所述的铜厚膜用蚀刻液，其中，所述胺化合物为选自1-氨基-2-丙醇、N,N-二乙基-1,3-丙二胺、三异丙醇胺、二异丙醇胺中的1种或多种。

5.根据权利要求1至4中的任一权利要求所述的铜厚膜用蚀刻液，其中，所述过氧化氢分解抑制剂为选自脲、苯基脲、1-丙醇、乙二醇单丁醚中的1种或多种。

6.一种铜厚膜用蚀刻浓缩液，其包含：

强酸性物质、

胺化合物、

过氧化氢分解抑制剂、

唑类、和

水，且不含过氧化氢，

加入过氧化氢使其成为整体的4.0质量％～5.8质量％，

从而pH变得低于2。

7.根据权利要求6所述的铜厚膜用蚀刻浓缩液，其中，进一步含有弱酸性的有机酸。

8.一种铜厚膜用蚀刻方法，其包括如下工序：

在铜厚膜用蚀刻浓缩液中加入过氧化氢使其成为整体的4.0质量％～5.8质量％，来调制铜厚膜用蚀刻液的工序，

所述铜厚膜用蚀刻浓缩液包含：

强酸性物质、

胺化合物、

过氧化氢分解抑制剂、

唑类、和

水，

加入过氧化氢使其成为整体的4.0质量％～5.8质量％，

从而pH变得低于2；和，

使以600nm以上的厚度形成有铜膜的基板与所述铜厚膜用蚀刻液接触的工序。