[发明专利]自旋元件的稳定化方法及自旋元件的制造方法

权利要求书

1.一种自旋元件的稳定化方法，其中，

在具备沿第一方向延伸的通电部和层叠于所述通电部的一个面且包含铁磁性体的元件部的自旋元件中，

在环境温度为20℃以上且低于50℃的情况下，沿所述通电部的所述第一方向施加10⁸次以上的脉冲电流，所述脉冲电流的电流密度为1.0×10⁷A/cm²以上且1.0×10⁹A/cm²以下，脉宽为1nsec以上且100nsec以下，等待时间为脉冲电流的脉宽的10倍以上。

2.一种自旋元件的稳定化方法，其中，

在具备沿第一方向延伸的通电部和层叠于所述通电部的一个面且包含铁磁性体的元件部的自旋元件中，

在环境温度为50℃以上且200℃以下的情况下，沿所述通电部的所述第一方向施加10⁷次以上的脉冲电流，所述脉冲电流的电流密度为1.0×10⁷A/cm²以上且1.0×10⁹A/cm²以下，脉宽为1nsec以上且100nsec以下，等待时间为脉冲电流的脉宽的10倍以上。

3.一种自旋元件的稳定化方法，其中，

在具备沿第一方向延伸的通电部和层叠于所述通电部的一个面且包含铁磁性体的元件部的自旋元件中，

在环境温度为-100℃以上且低于20℃的情况下，沿所述通电部的所述第一方向施加10⁷次以上脉冲电流，所述脉冲电流的电流密度为1.0×10⁷A/cm²以上且1.0×10⁹A/cm²以下，脉宽为10nsec以上且1μsec以下，等待时间为脉冲电流的脉宽以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的自旋元件的稳定化方法，其中，

构成所述通电部的元素的活化能量为200kJ/mol以上。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的自旋元件的稳定化方法，其中，

所述通电部为自旋轨道转矩配线，所述元件部具备第一铁磁性层、第二铁磁性层以及被它们夹持的非磁性层。

6.根据权利要求4所述的自旋元件的稳定化方法，其中，

所述通电部为自旋轨道转矩配线，所述元件部具备第一铁磁性层、第二铁磁性层以及被它们夹持的非磁性层。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的自旋元件的稳定化方法，其中，

所述通电部为具备磁壁的磁记录层，所述元件部从所述磁记录层侧起具备非磁性层和第三铁磁性层。

8.根据权利要求4所述的自旋元件的稳定化方法，其中，

所述通电部为具备磁壁的磁记录层，所述元件部从所述磁记录层侧起具备非磁性层和第三铁磁性层。

9.根据权利要求1～3中任一项所述的自旋元件的稳定化方法，其中，

在存在多个所述自旋元件的阵列元件中，变更在第n次施加所述脉冲电流的所述自旋元件和在第n+1次施加所述脉冲电流的所述自旋元件。

10.一种自旋元件的制造方法，具有：

在沿第一方向延伸的通电部的一个面上形成包含铁磁性体的元件部的工序；以及

根据权利要求1～9中任一项所述的自旋元件的稳定化方法，向所述通电部流通脉冲电流的工序。