[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示设备、像素驱动电路、显示设备中驱动图像显示的方法

说明书

本申请公开了一种阵列基板。阵列基板在多个子像素区域中的每一个中包括：第一薄膜晶体管，其具有与多条栅线中的一条连接的第一栅极、与多条数据线中的一条连接的第一源极、以及与像素电极连接的第一漏极；第二薄膜晶体管，其具有第二栅极、与所述多条数据线中的所述一条连接的第二源极、以及与所述像素电极连接的第二漏极；以及第三薄膜晶体管，其具有与所述多条数据线中的所述一条连接的第三栅极、与所述多条栅线中的所述一条连接的第三源极、以及与第二栅极和多条辅助信号线中的一条连接的第三漏极。

技术领域

本发明涉及显示技术，更具体地，涉及具有多个子像素区域的阵列基板、显示设备、像素驱动电路、用于在显示设备中驱动图像显示的方法以及制造阵列基板的方法。

背景技术

诸如液晶显示(LCD)设备、有机发光二极管(OLED)显示设备和电泳显示(EPD)设备之类的显示设备已经广泛使用。通常，显示设备包括组装在一起的阵列基板和对置基板。阵列基板通常包括位于其显示区域中的多个子像素区域，所述多个子像素区域中的每一个受薄膜晶体管控制以进行图像显示。

发明内容

在一方面，本公开提供了一种具有多个子像素区域的阵列基板，包括：多条栅线，其构造为分别向所述多个子像素区域提供多个栅极扫描信号；多条数据线，其构造为分别向所述多个子像素区域提供多个数据信号；多条辅助信号线；和像素电极；其中，所述阵列基板在所述多个子像素区域中的每一个中包括：第一薄膜晶体管，其具有第一有源层、与所述多条栅线中的一条连接的第一栅极、与所述多条数据线中的一条连接的第一源极、以及与像素电极连接的第一漏极；第二薄膜晶体管，其具有第二有源层、第二栅极、与所述多条数据线中的所述一条连接的第二源极、以及与像素电极连接的第二漏极；以及第三薄膜晶体管，其具有第三有源层、与所述多条数据线中的所述一条连接的第三栅极、与所述多条栅线中的所述一条连接的第三源极、以及与第二栅极和所述多条辅助信号线中的一条连接的第三漏极。

可选地，所述多条辅助信号线构造为被提供有电压电平比提供至所述多条栅线中的所述一条的栅极扫描信号的电压电平低的电压。

可选地，所述多条辅助信号线中的所述一条的一部分构成第二栅极。

可选地，所述多条数据线中的所述一条的一部分构成第三栅极。

可选地，所述多条辅助信号线中的所述一条的一部分构成第三漏极。

可选地，所述多条栅线中的所述一条的一部分构成第三源极。

可选地，所述多条辅助信号线中的所述一条的一部分构成第二栅极；所述多条数据线中的所述一条的一部分构成第三栅极；所述多条辅助信号线中的所述一条的一部分构成第三漏极；并且，所述多条栅线中的所述一条的一部分构成第三源极。

可选地，第一有源层、第二有源层和第三有源层中的一个或多个包括掺杂半导体材料(doped semiconductor material)；并且第三有源层比第一有源层和第二有源层掺杂得少。

可选地，第一有源层包括：第一半导体子层；第一掺杂半导体子层，其位于第一半导体子层上；第二半导体子层，其位于第一掺杂半导体子层的远离第一半导体子层的一侧；以及第二掺杂半导体子层，其位于第二半导体子层的远离第一掺杂半导体子层的一侧；第三有源层包括：第三半导体子层和位于第三半导体子层上的第三掺杂半导体子层；第一半导体子层和第三半导体子层位于相同层；并且，第一掺杂半导体子层和第三掺杂半导体子层位于相同层。

可选地，第一掺杂半导体子层和第三掺杂半导体子层比第二掺杂半导体子层掺杂得少。

可选地，第一有源层还包括：第一绝缘子层，其位于第一掺杂半导体子层和第二半导体子层之间。