[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示设备、像素驱动电路、显示设备中驱动图像显示的方法在审
| 申请号: | 201880000450.7 | 申请日: | 2018-05-22 |
| 公开(公告)号: | CN109073943A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
| 发明(设计)人: | 陈虞龙;王念念;熊永;刘知畅;田晓瑞;卢玲珑;王子威;魏孟;张祥 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;G09G3/36;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列基板 数据线 漏极 源极 显示设备 像素电极 条栅 像素驱动电路 辅助信号线 图像显示 像素区域 驱动 申请 制造 | ||
1.一种具有多个子像素区域的阵列基板,包括:
多条栅线,其构造为分别向所述多个子像素区域提供多个栅极扫描信号;
多条数据线,其构造为分别向所述多个子像素区域提供多个数据信号;
多条辅助信号线;和
像素电极;
其中,所述阵列基板在所述多个子像素区域中的每一个中包括:
第一薄膜晶体管,其具有第一有源层、与所述多条栅线中的一条连接的第一栅极、与所述多条数据线中的一条连接的第一源极、以及与所述像素电极连接的第一漏极;
第二薄膜晶体管,其具有第二有源层、第二栅极、与所述多条数据线中的所述一条连接的第二源极、以及与所述像素电极连接的第二漏极;和
第三薄膜晶体管,其具有第三有源层、与所述多条数据线中的所述一条连接的第三栅极、与所述多条栅线中的所述一条连接的第三源极、以及与所述第二栅极和所述多条辅助信号线中的一条连接的第三漏极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述多条辅助信号线构造为被提供有电压电平比提供至所述多条栅线中的所述一条的栅极扫描信号的电压电平低的电压。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的阵列基板,其中,所述多条辅助信号线中的所述一条的一部分构成所述第二栅极。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的阵列基板,其中,所述多条数据线中的所述一条的一部分构成所述第三栅极。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的阵列基板,其中,所述多条辅助信号线中的所述一条的一部分构成所述第三漏极。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述多条栅线中的所述一条的一部分构成所述第三源极。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的阵列基板,其中,所述多条辅助信号线中的所述一条的一部分构成所述第二栅极;
所述多条数据线中的所述一条的一部分构成所述第三栅极;
所述多条辅助信号线中的所述一条的一部分构成所述第三漏极;并且
所述多条栅线中的所述一条的一部分构成所述第三源极。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的阵列基板,其中,所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层中的一个或多个包括掺杂半导体材料;并且
所述第三有源层比所述第一有源层和所述第二有源层掺杂得少。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的阵列基板,其中,所述第一有源层包括:第一半导体子层;第一掺杂半导体子层,其位于所述第一半导体子层上;第二半导体子层,其位于所述第一掺杂半导体子层的远离所述第一半导体子层的一侧;以及第二掺杂半导体子层,其位于所述第二半导体子层的远离所述第一掺杂半导体子层的一侧;
所述第三有源层包括:第三半导体子层和位于所述第三半导体子层上的第三掺杂半导体子层;
所述第一半导体子层和所述第三半导体子层位于相同层;并且所述第一掺杂半导体子层和所述第三掺杂半导体子层位于相同层。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其中,所述第一掺杂半导体子层和所述第三掺杂半导体子层比所述第二掺杂半导体子层掺杂得少。
11.根据权利要求9所述的阵列基板,其中,所述第一有源层还包括:第一绝缘子层,其位于所述第一掺杂半导体子层和所述第二半导体子层之间。
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