[发明专利]显示面板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201880000245.0 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN110612607B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 李小龙;张方振;秦纬;彭宽军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本申请描述了一种具有多个子像素的显示面板。所述多个子像素中的每一个具有遮光区域和围绕遮光区域的透光区域。所述多个子像素中的每一个在遮光区域中包括:彼此面对的第一衬底基板和第二衬底基板;位于第一衬底基板的靠近第二衬底基板的一侧的第一发光元件和第一反射块;以及位于第二衬底基板的靠近第一衬底基板的一侧的第二反射块。第一反射块和第二反射块构造为将从第一发光元件发射的光反射至透光区域,从而显示图像。
技术领域
本发明涉及显示技术,更具体地,涉及显示面板、显示装置和制造显示面板的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示装置是自发光器件,并且不需要背光。与传统液晶显示(LCD)装置相比,OLED显示装置还提供了更鲜艳的色彩和更大的色域。此外,OLED显示装置可以制作得比典型LCD更柔性、更薄且更轻。
发明内容
一方面,本发明提供了一种显示面板,其具有多个子像素,其中,所述多个子像素中的每一个具有遮光区域和围绕遮光区域的透光区域;所述多个子像素中的每一个在遮光区域中包括:彼此面对的第一衬底基板和第二衬底基板;位于第一衬底基板的靠近第二衬底基板的一侧的第一发光元件和第一反射块;以及位于第二衬底基板的靠近第一衬底基板的一侧的第二反射块;并且其中,第一反射块和第二反射块构造为将从第一发光元件发射的光反射至透光区域,从而显示图像。
可选地,所述多个子像素中的每一个在遮光区域中还包括位于第一反射块和第一衬底基板之间的第一黑矩阵块;并且第一黑矩阵块在第一衬底基板上的正投影基本上覆盖第一发光元件在第一衬底基板上的正投影。
可选地,第一反射块在第一衬底基板上的正投影基本上覆盖第一发光元件在第一衬底基板上的正投影;并且第二反射块在第二衬底基板上的正投影基本上覆盖第一发光元件在第二衬底基板上的正投影。
可选地,所述多个子像素中的每一个还包括第一光扩散器,其位于第一发光元件的远离第一反射块的一侧,并且构造为扩散从第一发光元件发射的光。
可选地,所述多个子像素中的每一个在遮光区域中还包括位于第二反射块和第二衬底基板之间的第二黑矩阵块;并且第二黑矩阵块在第二衬底基板上的正投影基本上覆盖第一发光元件在第二衬底基板上的正投影。
可选地,所述多个子像素中的每一个在遮光区域中还包括位于第二衬底基板的靠近第一衬底基板的一侧的第二发光元件;其中,第一反射块和第二反射块构造为将从第一发光元件和第二发光元件中的任一个发射的光反射至透光区域,从而显示图像;并且,第一发光元件和第二发光元件被独立控制以发光。
可选地,所述多个子像素中的每一个在遮光区域中还包括位于第一反射块和第一衬底基板之间的第一黑矩阵块;第一黑矩阵块在第一衬底基板上的正投影基本上覆盖第一发光元件在第一衬底基板上的正投影;并且第一黑矩阵块在第一衬底基板上的正投影基本上覆盖第二发光元件在第一衬底基板上的正投影。
可选地,第一反射块在第一衬底基板上的正投影基本上覆盖第一发光元件在第一衬底基板上的正投影以及第二发光元件在第一衬底基板上的正投影;并且第二反射块在第二衬底基板上的正投影基本上覆盖第一发光元件在第二衬底基板上的正投影以及第二发光元件在第二衬底基板上的正投影。
可选地,第一发光元件在第一衬底基板上的正投影与第二发光元件在第一衬底基板上的正投影彼此基本上不重叠。
可选地,第一发光元件在第一衬底基板上的正投影与第二发光元件在第一衬底基板上的正投影彼此至少部分重叠。
可选地,所述多个子像素中的每一个还包括:第一光扩散器,其位于第一发光元件的远离第一衬底基板的一侧,并且构造为扩散从第一发光元件发射的光;以及第二光扩散器,其位于第二发光元件的远离第二衬底基板的一侧,并且构造为扩散从第二发光元件发射的光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880000245.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包括量子点层的双重图像传感器
- 下一篇:使用阈值注入区域的半导体可变电容器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的