[发明专利]显示面板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201880000245.0 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN110612607B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 李小龙;张方振;秦纬;彭宽军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,具有多个子像素:
其中,所述多个子像素中的每一个具有遮光区域和围绕所述遮光区域的透光区域;
所述多个子像素中的每一个在所述遮光区域中包括:
彼此面对的第一衬底基板和第二衬底基板;
位于所述第一衬底基板的靠近所述第二衬底基板的一侧的第一发光元件和第一反射块;以及
位于所述第二衬底基板的靠近所述第一衬底基板的一侧的第二反射块;并且
其中,所述第一反射块和所述第二反射块构造为将从所述第一发光元件发射的光反射至所述透光区域,从而显示图像。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个子像素中的每一个在所述遮光区域中还包括位于所述第一反射块和所述第一衬底基板之间的第一黑矩阵块;并且
所述第一黑矩阵块在所述第一衬底基板上的正投影实质上覆盖所述第一发光元件在所述第一衬底基板上的正投影。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第一反射块在所述第一衬底基板上的正投影实质上覆盖所述第一发光元件在所述第一衬底基板上的正投影;并且
所述第二反射块在所述第二衬底基板上的正投影实质上覆盖所述第一发光元件在所述第二衬底基板上的正投影。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个子像素中的每一个还包括第一光扩散器,其位于所述第一发光元件的远离所述第一反射块的一侧,并且构造为扩散从所述第一发光元件发射的光。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个子像素中的每一个在所述遮光区域中还包括位于所述第二反射块和所述第二衬底基板之间的第二黑矩阵块;并且
所述第二黑矩阵块在所述第二衬底基板上的正投影实质上覆盖所述第一发光元件在所述第二衬底基板上的正投影。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个子像素中的每一个在所述遮光区域中还包括位于所述第二衬底基板的靠近所述第一衬底基板的一侧的第二发光元件;
其中,所述第一反射块和所述第二反射块构造为将从所述第一发光元件和所述第二发光元件中的任一个发射的光反射至所述透光区域,从而显示图像;并且
所述第一发光元件和所述第二发光元件被独立控制以发光。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述多个子像素中的每一个在所述遮光区域中还包括位于所述第一反射块和所述第一衬底基板之间的第一黑矩阵块;
所述第一黑矩阵块在所述第一衬底基板上的正投影实质上覆盖所述第一发光元件在所述第一衬底基板上的正投影;并且
所述第一黑矩阵块在所述第一衬底基板上的正投影实质上覆盖所述第二发光元件在所述第一衬底基板上的正投影。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述第一反射块在所述第一衬底基板上的正投影实质上覆盖所述第一发光元件在所述第一衬底基板上的正投影以及所述第二发光元件在所述第一衬底基板上的正投影;并且
所述第二反射块在所述第二衬底基板上的正投影实质上覆盖所述第一发光元件在所述第二衬底基板上的正投影以及所述第二发光元件在所述第二衬底基板上的正投影。
9.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述第一发光元件在所述第一衬底基板上的正投影与所述第二发光元件在所述第一衬底基板上的正投影彼此实质上不重叠。
10.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述第一发光元件在所述第一衬底基板上的正投影与所述第二发光元件在所述第一衬底基板上的正投影彼此至少部分地重叠。
11.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述多个子像素中的每一个还包括:第一光扩散器,其位于所述第一发光元件的远离所述第一衬底基板的一侧,并且构造为扩散从所述第一发光元件发射的光;以及
第二光扩散器,其位于所述第二发光元件的远离所述第二衬底基板的一侧,并且构造为扩散从所述第二发光元件发射的光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的