[实用新型]一种易剥离的研磨垫

说明书

本实用新型公开了一种易剥离的研磨垫，所述研磨垫包括缺口、沟槽Ⅰ、沟槽Ⅱ和背胶，所述背胶位于所述研磨垫的背部，用于将研磨垫粘贴在抛光机上，所述缺口、沟槽Ⅰ和沟槽Ⅱ位于所述研磨垫的正面，其中，所述沟槽Ⅰ包括M个环状沟槽，且环状沟槽的圆心与研磨垫的中心重合；所述沟槽Ⅱ为螺旋状沟槽，且所述螺旋状沟槽的一端连接所述缺口，另一端连接直径最小的环状沟槽；所述缺口位于所述研磨垫的边缘位置。本实用新型提供的一种易剥离的研磨垫，能够在更换研磨垫的过程中，沿着螺旋状沟槽快速撕掉，通过缩短维护保养时间提高维护保养效率来提高CMP的有效运行时间，从而提高产能，降低作业人员压力。

技术领域

本实用新型涉及化学机械抛光领域，具体涉及一种易剥离的研磨垫。

背景技术

随着半导体工业飞速发展、电子器件尺寸缩小，要求晶片表面平整度达到纳米级别。传统的平坦化技术，仅仅能够实现局部平坦化，但是当最小特征尺寸达到0.25微米以下时，必须进行全局平坦化，化学机械抛光作为唯一能够实现全局平坦化的技术，成为半导体工业中不可或缺的一部分。

化学机械抛光(CMP)系统中最主要的三要素为抛光机、抛光垫和抛光液。由于目前化学机械研磨设备为了提高产量而逐渐呈现出大型化、多研磨头的趋势。由于CMP研磨头逐渐大型化和复杂化，导致研磨头的重组变的更复杂，且花费时间更长。同时，在完整的半导体生产线上，由于化学机械抛光的产能与前一个站点比起来较低，而化学机械抛光站点与前一个站点之间又只有8～24小时的停留时间，时间紧抛光量大，会给化学机械抛光站点造成很大压力。

在化学机械抛光的过程中，需要在一定时间的抛光之后更换研磨垫，研磨垫是由背面的胶粘贴在抛光机转盘上的，在更换过程中需要停机，然后撕掉现有的抛光垫，再重新粘上新的抛光垫。在更换抛光垫的过程中，完全撕掉废弃的抛光垫需要浪费一定的时间，这段时间对于这个CMP系统来说，无疑是雪上加霜。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种易剥离的研磨垫，能够在更换研磨垫的过程中，沿着螺旋状沟槽快速撕掉，通过缩短维护保养时间提高维护保养效率来提高CMP的有效运行时间，从而提高产能，降低作业人员压力。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种易剥离的研磨垫，所述研磨垫包括缺口、沟槽Ⅰ、沟槽Ⅱ和背胶，所述背胶位于所述研磨垫的背部，用于将研磨垫粘贴在抛光机上，所述缺口、沟槽Ⅰ和沟槽Ⅱ位于所述研磨垫的正面，

其中，所述沟槽Ⅰ包括M个环状沟槽，且环状沟槽的圆心与研磨垫的中心重合；所述沟槽Ⅱ为螺旋状沟槽，且所述螺旋状沟槽的一端连接所述缺口，另一端连接直径最小的环状沟槽；所述缺口位于所述研磨垫的边缘位置。

进一步地，所述研磨垫为圆形。

进一步地，所述研磨垫的厚度为1500微米。

进一步地，所述沟槽Ⅰ中M个环状沟槽的深度相同。

进一步地，所述环状沟槽的顶部宽度和底部宽度相同。

进一步地，所述环状沟槽的深度为500微米-600微米。

进一步地，所述沟槽Ⅱ在竖直方向上为顶部宽底部窄的锥形。

进一步地，所述沟槽Ⅱ的深度为1000微米-1200微米。

进一步地，所述沟槽Ⅱ的顶部宽度为200微米。

本实用新型的有益效果为：本实用新型中研磨垫表面具有螺旋状的沟槽Ⅱ，且螺旋状沟槽的一端连接研磨垫边缘的缺口，另一端连接研磨垫中心处直径最小的环状沟槽；在更换研磨垫的过程中，沿着螺旋状沟槽快速撕掉，通过缩短维护保养时间提高维护保养效率来提高CMP的有效运行时间，从而提高产能，降低作业人员压力。

附图说明

附图1为本实用新型中研磨垫的俯视图。