[实用新型]一种浮动电压采样电路

说明书

本实用新型公开一种浮动电压采样电路，属于集成电路技术领域。所述浮动电压采样电路包括：检测电流产生电路、检测电压补偿电路和检测电阻R3；所述检测电流产生电路和所述检测电压补偿电路的输出端均连接至保护耐压PMOS管的源极，所述检测电阻R3的一端连接至所述保护耐压PMOS管的漏端。与传统结构相比，新增加检测电压补偿电路补偿了传统检测电路会因为芯片温度、工艺变化而产生的偏差问题；并且，浮动电压采样电路的结构简单，易于集成于SOC等芯片设计之中。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，特别涉及一种浮动电压采样电路。

背景技术

在目前DCDC电源以及很多系统中，为了满足更高的应用电压，因此需要驱动更为高压的器件，但是为了降低生产工艺的成本，常将低压器件应用于浮动的电压轨之中，这样不仅能够保证芯片面积更小，而且能够兼容更多的工艺。

基准电压常常是相对于地电位的基准电压，如果想采样浮动电压差的大小，必须将浮动电压采样转化成到地的采样电压，以保证便于比较或者其他用途。但是传统的采样电路比较粗糙，不能够准确的采样该电压，从而造成设计过程中不可预知的错误。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种浮动电压采样电路，以解决现有的采样电路比较粗糙，无法精确采样浮动电压，从而容易在电路设计中产生不良影响的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种浮动电压采样电路，包括：

检测电流产生电路和检测电压补偿电路，所述检测电流产生电路和所述检测电压补偿电路的输出端均连接至保护耐压PMOS管的源极；

检测电阻R3，所述检测电阻R3的一端连接至所述保护耐压PMOS管的漏端。

可选的，所述检测电流产生电路包括PMOS管PM1、PMOS管PM2以及电阻R1；其中，

所述PMOS管PM1的源极与待检测电压的高端电压V_H相连，栅极连接所述PMOS管PM2的栅极和漏极以及所述电阻R1的一端，漏极作为所述检测电流产生电路的输出端连接所述保护耐压PMOS管PM_HV的源极；所述PMOS管PM2的源极连接待检测电压的高端电压V_H；所述电阻R1的另一端连接待检测电压的低端电压V_L。

可选的，所述检测电压补偿电路包括PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、NMOS管NM1、NMOS管NM2以及电阻R2；其中，

所述PMOS管PM3的源极连接待检测电压的高端电压V_H，漏极连接所述NMOS管NM1的栅极与漏极以及所述NMOS管NM2的栅极；所述NMOS管NM1的源极连接待检测电压的低端电压V_L；所述NMOS管NM2的源极连接待检测电压的低端电压V_L，漏极连接所述PMOS管PM5的栅极以及所述PMOS管PM4的漏极；所述PMOS管PM4的源极连接待检测电压的高端电压V_H，栅极连接所述PMOS管PM5的源极以及所述电阻R2的一端；所述电阻R2的另外一端连接待检测电压的高端电压V_H；所述PMOS管PM5的漏极作为所述检测电压补偿电路的输出端连接所述保护耐压PMOS管PM_HV的源极。

可选的，所述保护耐压PMOS管PM_HV的栅端连接待检测电压的低端电压V_L，漏端通过所述检测电阻R3接地。

在本实用新型中提供了一种浮动电压采样电路，包括：检测电流产生电路、检测电压补偿电路和检测电阻R3；所述检测电流产生电路和所述检测电压补偿电路的输出端均连接至保护耐压PMOS管的源极，所述检测电阻R3的一端连接至所述保护耐压PMOS管的漏端。