[实用新型]一种浮动电压采样电路有效
| 申请号： | 201822236114.2 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209070402U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 阮建新;肖培磊;罗永波;宣志斌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压采样电路 补偿电路 检测电压 浮动 电流产生电路 检测 电阻 耐压 集成电路技术 本实用新型 传统检测 传统结构 工艺变化 偏差问题 芯片设计 一端连接 输出端 漏端 源极 电路 芯片 | ||
1.一种浮动电压采样电路，其特征在于，包括：
检测电流产生电路和检测电压补偿电路，所述检测电流产生电路和所述检测电压补偿电路的输出端均连接至保护耐压PMOS管的源极；
检测电阻R3，所述检测电阻R3的一端连接至所述保护耐压PMOS管的漏端。
2.如权利要求1所述的浮动电压采样电路，其特征在于，所述检测电流产生电路包括PMOS管PM1、PMOS管PM2以及电阻R1；其中，
所述PMOS管PM1的源极与待检测电压的高端电压VH相连，栅极连接所述PMOS管PM2的栅极和漏极以及所述电阻R1的一端，漏极作为所述检测电流产生电路的输出端连接所述保护耐压PMOS管PM_HV的源极；所述PMOS管PM2的源极连接待检测电压的高端电压VH；所述电阻R1的另一端连接待检测电压的低端电压VL。
3.如权利要求1所述的浮动电压采样电路，其特征在于，所述检测电压补偿电路包括PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、NMOS管NM1、NMOS管NM2以及电阻R2；其中，
所述PMOS管PM3的源极连接待检测电压的高端电压VH，漏极连接所述NMOS管NM1的栅极与漏极以及所述NMOS管NM2的栅极；所述NMOS管NM1的源极连接待检测电压的低端电压VL；所述NMOS管NM2的源极连接待检测电压的低端电压VL，漏极连接所述PMOS管PM5的栅极以及所述PMOS管PM4的漏极；所述PMOS管PM4的源极连接待检测电压的高端电压VH，栅极连接所述PMOS管PM5的源极以及所述电阻R2的一端；所述电阻R2的另外一端连接待检测电压的高端电压VH；所述PMOS管PM5的漏极作为所述检测电压补偿电路的输出端连接所述保护耐压PMOS管PM_HV的源极。
4.如权利要求1所述的浮动电压采样电路，其特征在于，所述保护耐压PMOS管PM_HV的栅端连接待检测电压的低端电压VL，漏端通过所述检测电阻R3接地。
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