[实用新型]石墨烯金属复合粉体连续生长设备有效
| 申请号: | 201822232542.8 | 申请日: | 2018-12-28 | 
| 公开(公告)号: | CN209974884U | 公开(公告)日: | 2020-01-21 | 
| 发明(设计)人: | 马瑜;吕雪超;王续杨;钱天宝;杨军 | 申请(专利权)人: | 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司 | 
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/06;C23C16/26 | 
| 代理公司: | 11365 北京卓言知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 王茀智;黄梦琴 | 
| 地址: | 201821 上海市嘉定区*** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 降温室 进样室 本实用新型 金属复合粉 真空挡板阀 供气系统 加热装置 连通口处 生长设备 真空机组 石墨烯 扩大生产 生产效率 依次相连 | ||
1.一种石墨烯金属复合粉体连续生长设备,其特征在于:包括依次相连的进样室(1)、CVD管式炉(2)和降温室(3),还包括真空机组(11)、供气系统(8)和加热装置(4),所述真空机组(11)和供气系统(8)均分别与进样室(1)、CVD管式炉(2)和降温室(3)连接,所述加热装置(4)与CVD管式炉(2)连接,所述CVD管式炉(2)与进样室(1)之间的连通口处设有第一真空挡板阀(6),CVD管式炉(2)与降温室(3)之间的连通口处设有第二真空挡板阀(15)。
2.根据权利要求1所述的石墨烯金属复合粉体连续生长设备,其特征在于:还包括相适配的射频电源(9)和射频等离子体发生器(5),所述射频等离子体发生器(5)与CVD管式炉(2)连接。
3.根据权利要求1所述的石墨烯金属复合粉体连续生长设备,其特征在于:所述进样室(1)和CVD管式炉(2)内设有用于两者之间传样的第一真空磁力传样杆(7),所述CVD管式炉(2)和降温室(3)内设有用于两者之间传样的第二真空磁力传样杆(16)。
4.根据权利要求1所述的石墨烯金属复合粉体连续生长设备,其特征在于:所述CVD管式炉(2)的外壁上设有位于CVD管式炉(2)两端的两个冷却装置(14),所述两个冷却装置(14)分别与第一真空挡板阀(6)和第二真空挡板阀(15)连接。
5.根据权利要求1所述的石墨烯金属复合粉体连续生长设备,其特征在于:所述CVD管式炉(2)通过多个耐温进气管道(13)对应与多路供气系统(8)连接,所述耐温进气管道(13)贯穿CVD管式炉(2)的侧壁并与CVD管式炉(2)的内部连通。
6.根据权利要求5所述的石墨烯金属复合粉体连续生长设备,其特征在于:所述加热装置(4)安装在CVD管式炉(2)的外壁上,且加热装置(4)设有用于避让多个耐温进气管道(13)的多个避让孔。
7.根据权利要求5所述的石墨烯金属复合粉体连续生长设备,其特征在于:每个耐温进气管道(13)在与供气系统(8)相连接处均设有流量控制器。
8.根据权利要求1所述的石墨烯金属复合粉体连续生长设备,其特征在于:所述CVD管式炉(2)的内壁上安装有位于CVD管式炉(2)两端的两个隔热装置(12),所述隔热装置(12)与CVD管式炉(2)两端的连通口对齐。
9.根据权利要求1所述的石墨烯金属复合粉体连续生长设备,其特征在于:所述CVD管式炉(2)的两端各开有一个排气口(17)。
10.根据权利要求5所述的石墨烯金属复合粉体连续生长设备,其特征在于:所述多个耐温进气管道(13)由石英制成或由金属制成,所述多个耐温进气管道(13)呈规则排列。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





